Produktname SanDisk Ultra 128 GB micro SDXC UHS-I-Karte mit Adapter Modellname SQUNC-128G-GN6MA Hersteller SanDisk Herstellungsland China Formfaktor microSDXC NAND-Flash-Typ DC erlaubt Spannung 2.7 ~ 3.3 V Datenkapazität 128 GB (119.052734375 GiB, 121910 mib, 127,831,900,160 Bytes) Basisdateisystemformat exFAT Speed ​​Reading: Max. 80 MB / s (533X) Temperaturbereich […]

Produktname Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 Teilenummer M378T5663QZ3-CF7 Hersteller Samsung Electronics Herstellungsland China Jahr / Woche Bauen 2009/04, 2010/07 Speichermodultyp DIMM Datenkapazität 2GB-Taktfrequenz 800 MHz (PC2-6400) Speicher-Timing CL = 6, tRCD = 6, TRP = 6 Eigenschaften 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM Data Bits x64 Interne Module Banken 8 Ranks 2 Daten […]

Lite-On 56K DFÜ-internes PCI-Modem (Agere Systems International Softmodem) Modellnummer D-11561 # / A1A (4491A-D1156A1A) Hersteller Lite-On Technology Corp. / Agere Systems Herstellungsland China-Schnittstelle PCI-Chipsatz Agere System SV92PL-T00 - Integrierte PCI-Schnittstelle mit 5-V-toleranten Puffern und CardBus Unterstützung Leistung • Erfordert eine 3,3-V-Hilfsstromschiene auf dem PCI-Bus • Uses […]

Samsung Electronics veröffentlicht DDR3 SDRAM-Module der 30nm-Prozesstechnologie im Juli mit 2010. Die RAM-Modul wurde von der 40-nm-Prozesstechnologie hergestellt. Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Hersteller Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland China Baujahr / Woche 2011/13 Datenkapazität 4GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Speichertiming […]

Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Speicher (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Hersteller Samsung Electronics Herstellungsland China Baujahr / Woche 2010/38 Datenkapazität 2GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Eigenschaften 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Produktionsprozess Technologie 40nm Datenbits x64 Interne Module Banken 8 Datenchip Zusammensetzung [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 Pommes frites […]