Produktname Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Teilenummer M378A1K43CB2-CTD (C-die) Hersteller Samsung Electronics Land der Herstellung China Baujahr / Woche 2018 / 28 DIMM-Typ UDIMM Datenkapazität 8GB Data Rate (Max Bandbreite) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Speichertiming (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 Features 288pin, ungepufferte ECC […]

Produktname Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 Teilenummer M378T5663QZ3-CF7 Hersteller Samsung Electronics Herstellungsland China Jahr / Woche Bauen 2009/04, 2010/07 Speichermodultyp DIMM Datenkapazität 2GB-Taktfrequenz 800 MHz (PC2-6400) Speicher-Timing CL = 6, tRCD = 6, TRP = 6 Eigenschaften 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM Data Bits x64 Interne Module Banken 8 Ranks 2 Daten […]

Produktname Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM 8GB PC3-12800 (2rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Hersteller Samsung Electronics Herstellungsland Philippine Baujahr / Woche 2014/08 Datenkapazität 8GB Taktfrequenz 1600Mhz (PC3-12800) Speicher-Timing CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11 Eigenschaften 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Produktionsprozesstechnologie 20, 30, 40nm Datenbits x64 Interne Module Banken 8 Ranks […]

Die M368L6423DTM ist 32M Bit x 64 Doppelte Datenrate(DDR) SDRAM-Speichermodul mit hohen Dichte basierend auf fünfte genernation 256 MB DDR SDRAM jeweils. Die M368L6423DTM besteht aus sechzehn CMOS-32M x 8 Bit mit 4banks Double Data Rate-SDRAMs in 66pin TSOP-II(400tausend) Pakete montiert auf einem 184pin Glasepoxidsubstrat. Vier 0.1uF Entkopplungskondensatoren sind […]

Samsung Electronics veröffentlicht DDR3 SDRAM-Module der 30nm-Prozesstechnologie im Juli mit 2010. Die RAM-Modul wurde von der 40-nm-Prozesstechnologie hergestellt. Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Hersteller Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland China Baujahr / Woche 2011/13 Datenkapazität 4GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Speichertiming […]