স্যামসাং 1MB ডির্যাম 30pin SIMM

কেএমএম591000 এএন -7 দুটি কেএম 44 সি 1000 এজে -7 চিপস এবং একটি কেএম 44 সি 1000 সিজে -7 চিপযুক্ত. KMM591000BN-7 দুটি KM44C1000BJ-7 চিপ এবং একটি KM44C1000CJ-7 চিপ দিয়ে গঠিত. সেগুলি স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স দ্বারা উত্পাদিত 1 এমবি ড্রাম সিম রয়েছে M.

• উত্পাদন কোম্পানি : স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স
• উত্পাদিত বছর : 1992 / 1993
• প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া
• মডিউল বৈশিষ্ট্য : 30পিন, SIMM, সমতা র‌্যাম
• স্মৃতিশক্তি : 1মেগাবাইট
• ব্যান্ডউইথ : 8বিট
• গতি বৈশিষ্ট্য : 70NS(TRAC)
• চিপ রচনা :
  কেএমএম591000 এএন -7 = কেএম 44 সি 1000 এজে -7 × 2 + KM44C1000CJ -7
  কেএমএম 591000 বিএন -7 = কেএম 44 সি 1000 বিজে -7 × 2 + KM44C1000CJ -7

সম্পর্কিত পোস্ট:

হুন্ডাই 1MB ডির্যাম 30pin SIMM Goldstar 1MB ডির্যাম 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 1MB ডির্যাম 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) হুন্ডাই 16 এমবি ইডো ড্রাম 72 পিন সিমএম (HYM532414) হুন্ডাই 4 মেগাবাইট EDO ডির্যাম 72pin SIMM (HYM532100AM-70) LG সেমিকন 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) স্যামসাং 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM তাই-DIMM স্যামসাং 512MB PC2700 ডিডিআর SDRAM DIMM (M368L6423DTM) স্যামসাং 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2আর × 8, M378B1G73QH0-CK0)