Product Name Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400 Part Number M378T5663QZ3-CF7 Manufacturer Samsung Electronics Country of Manufacture China Build Year/Week 2009/04, 2010/07 Memory Module Type DIMM Data Capacity 2GB Clock Speed 800Mhz (PC2-6400) Memory Timing CL=6, tRCD=6, tRP=6 Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM Data Bits x64 Internal Module Banks 8 Званні 2 Data […]

Назва прадукту Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Вытворца Samsung Electronics Краіна вытворчасці Філіпіны Год зборкі/тыдзень 2014/08 Ёмістасць дадзеных 8GB Тактавая частата 1600Mhz (ПК3-12800) Час памяці CL=11, tRCD=11, tRP=11 Асаблівасці 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Тэхналогія вытворчага працэсу 20, 30, 40нм Біты дадзеных x64 Банкі ўнутраных модуляў 8 Званні […]

M368L6423DTM мае 32 Мбіт x 64 Падвойная хуткасць перадачы дадзеных(DDR) Модуль памяці SDRAM высокай шчыльнасці на аснове пятага пакалення 256 Мб DDR SDRAM адпаведна. M368L6423DTM складаецца з шаснаццаці CMOS 32M x 8 біт з 4 банкамі SDRAM з падвойнай хуткасцю перадачы дадзеных у 66-кантактным TSOP-II(400млн) пакеты, усталяваныя на 184-кантактнай шкляна-эпаксіднай падкладцы. Чатыры развязальных кандэнсатара па 0,1 мкФ […]

Назва прадукту : Samsung SDRAM 32MB PC66 Нумар дэталі : KMM366S403BTN-G0 Вытворца : Samsung Electronics (SEC) Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 1997/33 Ёмістасць дадзеных : 32МБ Тактавая частата : 66МГц (ПК66) Асаблівасці : 168шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 мікрасхемы VDD : 3.3В

Назва прадукту : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неарыгінальныя дэталі) Частка нумар : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Вытворца : Samsung Electronics (SEC) Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 2003/33 Ёмістасць дадзеных : 512МБ Тактавая частата : 400МГц (ПК3200) Асаблівасці : 184шпілька, Небуферызаваны Non-ECC DDR SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 чыпы Data […]