Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (ПК3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Data chip composition [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чыпсы […]

Назва прадукту : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Формаў-фактар : DDR3 SO-DIMM Features : 204шпілька, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM мае часовую памяць для больш хуткага ўводу/вываду дадзеных. Гэта эфектыўна, калі сістэма не можа атрымаць падтрымку кэш-памяці. Але калі ў сістэме ёсць кэш-памяць, эфект ад EDO DRAM невялікі. Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год зборкі/тыдзень : 1997/32 Краіна вытворца : Карэя (Паўднёвая Карэя) Частка нумар […]

Гэты SIMM пакрыты залацістым колерам. Колер пакрыцця і форма платы гэтай SIMM адрозніваюцца ад SIMM з GM71C4400A. GM71C4400B мае памер 1 М × 4 біты. А GM71C1000B мае памер 1 М × 4 біты. Аб'ём памяці і функцыі гэтай SIMM не адрозніваюцца ад SIMM з GM71C4400A і GM71C1000. Вытворчасць […]

Goldstar з'яўляецца гандлёвай маркай Goldstar Electron Co., ТАА. Кампанія змяніла назву на LG Semiconductor (LG Semicon) у 1995, і яна была аб'яднана ў прамысловасць Hyundai Electronics (Hynix сучаснасці) у 1999. Вытворчая кампанія : Goldstar Electron Год выпуску: 1993 Краіна вытворца : Асаблівасці модуля Паўднёвай Карэі : 30шпілька, DRAM, SIMM, Парытэтная аператыўная памяць […]