Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год пабудовы : 1994 Краіна вытворца : Нумар дэталі Паўднёвай Карэі : Формаў-фактар ​​HYM532100AM-70 : Тып памяці SIMM : Ёмістасць памяці EDO DRAM : 4MB Тып шыны : Хуткая памяць старонак (FPM) Выпраўленне памылак : Непаритетные шпількі : 72шпілька Прапускная здольнасць : 32біт Затрымка : 70нс (тРАЦ) Напруга […]

Назва прадукту : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Вытворца : EKmemory Краіна-вытворца : Ёмістасць дадзеных Паўднёвай Карэі : 2GB Тактавая частата : 1333МГц (ПК3-10600) Асаблівасці : 240шпілька, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чыпы VDD напружанне : 1.5V Галоўная старонка : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=драм&няма=91

KMM591000AN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000AJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000BJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. Гэта модулі DRAM SIMM памерам 1 МБ вытворчасці Samsung Electronics. Вытворчая кампанія : Год выпуску Samsung Electronics : 1992 / 1993 Краіна вытворца : Асаблівасці модуля Паўднёвай Карэі : 30шпілька, SIMM, Парытэт Аб'ём аператыўнай памяці […]

EDO DRAM мае часовую памяць для больш хуткага ўводу/вываду дадзеных. Гэта эфектыўна, калі сістэма не можа атрымаць падтрымку кэш-памяці. Але калі ў сістэме ёсць кэш-памяць, эфект ад EDO DRAM невялікі. Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год зборкі/тыдзень : 1997/32 Краіна вытворца : Карэя (Паўднёвая Карэя) Частка нумар […]

This RAM is 30-pin 1MB SIMM produced by Hyundai Electronics industry(Hynix сучаснасці). 30-pin SIMMs were used universally from 80286 каб 80486. If the number of chips is odd number, one of the chips perform parity check. This RAM is composed of two HY514400A(1M x 4bit) and one HY531000A(1M x 1bit). The memory capacity of […]