Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD (Кантролер Phoenix)

Samsung PM981 з'яўляецца прадуктам OEM ад Samsung 970 EVO.

Гэты дыск мае новы 64-слаёвы V-NAND ад Samsung і высокапрадукцыйны кантролер, які забяспечвае да 3,000 Прапускная здольнасць паслядоўнага чытання МБ/с і 270,000 IOPS выпадковага чытання.

У ранняй версіі выкарыстоўваўся кантролер памяці Samsung Polaris V2, але кантролер памяці ARM Phoenix выкарыстоўваўся ў больш позняй версіі.

Некаторы час ён быў папулярны з-за добрага суадносін кошту і якасці.

Назва прадукту	Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
Частка нумар	MZVLB256HAHQ-00000
мадэль	MZ-VLB2560
Год выпуску	2017
Вытворца	Samsung
Краіна-вытворца	Кітай
ПКласіфікацыя прадуктаў	Унутраны SSD (Цвёрдацельны назапашвальнік)
Формаў-фактар	М.2 (2280)
Інтэрфейс	PCIe 3.0 (х4) (32ГТ/с)
Інтэрфейс хост-кантролера	NVMe 1.2
Катальнасць	256ГБ
Байт на сектар	512Байт
Тып памяці	Флэш-памяць NAND, ТСХ
Структура NAND	Samsung V-NAND V4 (TLC 3D NAND, 64-пласты)
DRAM	○
Кэшаванне SLC	○
Прадукцыйнасць	– Паслядоўнае чытанне : 3000МБ/с – Паслядоўны запіс : 1800МБ/с – IOPS для чытання : Макс. 270к – IOPS для запісу : Макс. 420к
Кантролер памяці	ARM Фенікс (S4LR020 S821HNQD 1842 ARM Фенікс)
Цеплаадвод NVMe	не ўваходзіць
UBER	< 1 сектар пер 10 15 біты чытаць
MTBF	1.5 Мільён гадзін
тэмпература	Аперацыйная : 0°C ~ 70°С Непрацоўны : -40°C ~ 85 °C
Вільготнасць (без кандэнсацыі)	Непрацоўны : 5 ~ 95%
Лінейны шок	Непрацоўны (0.5працягласць мс с 1/2 сінусоіда) : 1,500 Гпік
Вібрацыя	Непрацоўны (20 ~ 2,000 Гц, Сінусоідная) : 20 Гпік
Пульсацыя напружання/шум (макс.)	100мВ p-p
Спажываная магутнасць	– Прачытайце (Тып, RMS) : 5.9В – Пішыце (Тып, RMS) : 5.7В – Бяздзейны (Тып) : 30мВт – L1.2 (Тып) : 5мВт
Шырыня	22.00 ± 0.15 мм
Даўжыня	80.00 ± 0.15 мм
Вышыня	Макс. 2.38 мм
Вага	Макс. 9.0г