Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

KMM591000AN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000AJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000BJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. Гэта модулі DRAM SIMM памерам 1 МБ вытворчасці Samsung Electronics.

• Вытворчая кампанія : Samsung Electronics
• Год выпуску : 1992 / 1993
• Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя
• Асаблівасці модуля : 30шпілька, SIMM, Парытэтная аператыўная памяць
• Ёмістасць памяці : 1MB
• Прапускная здольнасць : 8трохі
• Функцыя хуткасці : 70нс(тРАЦ)
• Чып склад :
  KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
  KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7

Падобныя паведамленні:

Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0)