Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM

Гэта аператыўная памяць з'яўляецца 30-кантактным SIMM 1 Мб, вырабленым кампаніяй Hyundai Electronics(Hynix сучаснасці). 30-кантактныя SIMM выкарыстоўваліся паўсюдна з 80286 каб 80486. Калі колькасць фішак няцотная, адзін з чыпаў выконвае праверку цотнасці.

Гэтая аператыўная памяць складаецца з двух HY514400A(1М х 4 біты) і адзін HY531000A(1М х 1 біт). The memory capacity of the RAM is 1MB. HY531000A is data chip, and HY531000A is parity chip.

• Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА.
• Год выпуску : 1993
• Product Features : 30-шпілька, DRAM SIMM, Парытэтная аператыўная памяць
• Ёмістасць памяці : 1MB
• Прапускная здольнасць : 8трохі
• Функцыя хуткасці : 70нс(тРАЦ)
• Чып склад : HY514400A × 2 + HY531000A (4×2 + 1 bits)

Падобныя паведамленні:

Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) eKmemory 2 ГБ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 МГц (2Rx8) LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Памяць EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6