هيونداي 1 ميجا بايت DRAM 30pin SIMM

ذاكرة الوصول العشوائي هذه عبارة عن بطاقة SIMM ذات 30 سنًا وسعة 1 ميجا بايت من إنتاج شركة Hyundai Electronics(هاينكس الآن). 30-تم استخدام دبوس SIMMs عالميًا من 80286 ل 80486. إذا كان عدد الرقائق هو عدد فردي, تقوم إحدى الرقائق بإجراء فحص التكافؤ.

تتكون ذاكرة الوصول العشوائي هذه من اثنين HY514400A(1م × 4 بت) وواحد HY531000A(1م × 1 بت). سعة ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) هي 1 ميجابايت. HY531000A عبارة عن شريحة بيانات, و HY531000A هي شريحة التكافؤ.

• الصانع : شركة هيونداي للصناعات الإلكترونية, المحدودة.
• سنة الصنع : 1993
• ميزات المنتج : 30-دبوس, درام سيم, ذاكرة الوصول العشوائي التكافؤ
• سعة الذاكرة : 1ميغابايت
• عرض النطاق الترددي : 8قليل
• ميزة السرعة : 70نانوثانية(تراك)
• تكوين الرقاقة : HY514400A × 2 + HY531000A (4×2 + 1 أجزاء)

المشاركات ذات الصلة:

جولد ستار 1 ميجا بايت DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + جي ام سي71C1000) جولد ستار 1 ميجا بايت DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + جي ام سي71C1000B) هيونداي 4 ميجابايت إيدو درام 72 دبوس SIMM (HYM532100AM-70) سامسونج 1 ميجا بايت DRAM 30pin SIMM هيونداي 16 ميجا بايت EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) EKmemory 2 جيجا DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ميجا هرتز (2آر إكس 8) LG Semicon 16 ميجا بايت EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) سامسونج 4 جيجا PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM ذاكرة EK 2 جيجا DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6