ชื่อผลิตภัณฑ์ หน่วยความจำ EK 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 หมายเลขชิ้นส่วน EKM256S74BP8-E6 ผู้ผลิต หน่วยความจำ EK ประเทศที่ผลิต ผลิตชิปไต้หวัน ปี/สัปดาห์ 2008/27 ประเภทโมดูลหน่วยความจำ DDR2 SO-DIMM 200 พิน ความจุข้อมูล 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 667Mhz (PC2-5300) เวลาหน่วยความจำ CL=5, tRCD=5, tRP = 5 คุณสมบัติ 200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(แล็ปท็อป) Memory Data Bits x64 ข้อมูลชิปข้อมูล EK20908A8A-3EG […]

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์การปล่อยตัว DDR3 SDRAM โมดูลที่ใช้เทคโนโลยี 30 นาโนเมตรกระบวนการในเดือนกรกฎาคม 2010. โมดูล RAM นี้ถูกสร้างขึ้นโดยเทคโนโลยีการผลิต 40nm. ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-ch9) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตในประเทศจีนสร้างปี / สัปดาห์ 2011/13 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Timing หน่วยความจำ […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 หมายเลขชิ้นส่วน : EBJ21UE8BFU0-DJ-F ผู้ผลิต : ELPIDA ประเทศที่ผลิต : ไต้หวันสร้างปี/สัปดาห์ : 2010/38 ฟอร์มแฟกเตอร์ : คุณสมบัติ DDR3 SO-DIMM : 204หมุด, ความจุหน่วยความจำที่ไม่ใช่ ECC : 2GB อัตราข้อมูลสูงสุด : 1333Mbps แรงดันไฟฟ้า : 1.5องค์กร V : 256คำ M × 64 เกร็ด, 2 จัดอันดับองค์ประกอบชิป : J1108BFBG-DJ-F […]