M368L6423DTM คือ 32M บิต x 64 อัตราข้อมูลสองครั้ง(DDR) โมดูลหน่วยความจำความหนาแน่นสูง SDRAM ตามการกำเนิดที่ห้าของ 256Mb DDR SDRAM ตามลำดับ. M368L6423DTM ประกอบด้วย CMOS 16M x สิบหกชุด 8 bit กับ SDRAMs อัตราการส่งข้อมูลคู่ 4 ใน 66pin TSOP-II(400หนึ่งพัน) แพคเกจติดตั้งบนพื้นผิวแก้วอีพ็อกซี่ 184pin. ตัวเก็บประจุแยกส่วน 0.1uF สี่ตัวคือ […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ซัมซุง DDR SDRAM 512MB PC3200 (อะไหล่ที่ไม่ใช่ของแท้) ส่วนจำนวน : ผู้ผลิต PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 2003/33 ความจุข้อมูล : 512ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 400เมกะเฮิรตซ์ (PC3200) คุณสมบัติ : 184หมุด, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM ส่วนประกอบชิปข้อมูล : [ก.ล.ต. K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ชิปข้อมูล […]

หน่วยความจำ A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, ในโมดูลหน่วยความจำ DDR SDRAM, บรรลุความเร็วสัญญาณนาฬิกา 600Mhz ครั้งแรกด้วยชิปหน่วยความจำ Samsung TCCD. ความจุข้อมูลของ A-data Viesta คือ 512MB หรือ 256MB. ส่วนใหญ่ใช้สำหรับ ovcrclocking.   ชื่อผลิตภัณฑ์ A-DATA Vitesta DDR600 512MB หมายเลขชิ้นส่วน MDOSSLF3H47A0B1G0Z ผู้ผลิต A-DATA ประเทศที่ผลิต ไต้หวัน ปีที่สร้าง 2004 คุณสมบัติ 184 พิน Unbufferpin […]