ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์การปล่อยตัว DDR3 SDRAM โมดูลที่ใช้เทคโนโลยี 30 นาโนเมตรกระบวนการในเดือนกรกฎาคม 2010. โมดูล RAM นี้ถูกสร้างขึ้นโดยเทคโนโลยีการผลิต 40nm. ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-ch9) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตในประเทศจีนสร้างปี / สัปดาห์ 2011/13 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Timing หน่วยความจำ […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 หน่วยความจำ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-ch9, M378B5273DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตเกาหลีใต้สร้างปี / สัปดาห์ 2011/31 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Memory Timing CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM บิตข้อมูล x64 ลึก / บิตองค์กร 512M / x8 โมดูลภายใน […]