Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukūrimo metai : 1994 Gamybos šalis : Pietų Korėjos dalies numeris : HYM532100AM-70 formos koeficientas : SIMM atminties tipas : EDO DRAM atminties talpa : 4MB magistralės tipas : Greita puslapio atmintis (FPM) Klaidų taisymas : Neparitetiniai smeigtukai : 72pin Bandwidth : 32bitų delsa : 70ns (tRAC) Įtampa […]

EDO DRAM turi laikiną atminties vietą greitesniam duomenų įvesties / išvesties procesui. Tai veiksminga, kai sistema negali gauti talpyklos atminties palaikymo. Bet jei sistemoje yra talpyklos atmintis, EDO DRAM efektas menkas. Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukurkite metus / savaitę : 1997/32 Gamybos šalis : Korėja (Pietų Korėja) Dalies numeris […]

Ši RAM yra 30 kontaktų 1 MB SIMM, kurią gamina „Hyundai Electronics Industry“.(Hynix dabar). 30-PIN SIMM buvo naudojami visuotinai nuo 80286 į 80486. Jei žetonų skaičius yra nelyginis, vienas iš lustų atlieka pariteto patikrinimą. Šią RAM sudaro du HY514400A(1M x 4 bitai) ir vienas HY531000A(1M x 1 bitas). The memory capacity of […]