Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de construcción : 1994 País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : Factor de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memoria SIMM : EDO DRAM Capacidad de memoria : 4MB tipo de bus : Memoria Fast Page (FPM) Error de corrección : Pines de no paridad : 72pin ancho de banda : 32latencia de bit : 70ns (TRAC) voltaje […]

EDO DRAM tiene espacio de memoria temporal para los datos más rápidas de E / S. Es efectivo cuando el sistema no puede recibir ayuda de la memoria caché. Pero si el sistema tiene memoria caché, el efecto de EDO DRAM es poco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de la estructura / Semana : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea del Sur) Número de pieza […]

Esta RAM es SIMM de 1 MB de 30 pines producida por la industria de Hyundai Electronics(Hynix de ahora). 30-pin SIMM se utilizaron universalmente desde 80286 a 80486. Si el número de fichas es impar, uno de los chips realiza una comprobación de paridad. Esta RAM está compuesta por dos HY514400A(1M x 4 bits) y un HY531000A(1M x 1 bit). La capacidad de memoria de […]