三星电子发布了采用30nm工艺技术的DDR3 SDRAM模块在七月 2010. 此内存模块是由40nm制程工艺制造. 产品名称Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 制造商三星电子 (SEC) 生产国中国制造年/周 2011/13 数据容量4GB时钟速度1333Mhz (PC3-10600) 内存时序 […]
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生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建造年份 : 1994 制造国 : 韩国零件编号 : HYM532100AM-70 外形尺寸 : SIMM 内存类型 : EDO DRAM 内存容量 : 4MB 总线类型 : 快速页面内存 (FPM) 纠错 : 非奇偶校验引脚 : 72针脚带宽 : 32位延迟 : 70NS (RAC) 电压 […]
产品名称 : 三星 SDRAM 32MB PC66 部件号 : KMM366S403BTN-G0 制造商 : 三星电子 (SEC) 制造国 : 韩国建造年/周 : 1997/33 数据容量 : 32MB 时钟速度 : 66兆赫 (PC66) 特征 : 168销, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 芯片VDD : 3.3V
产品名称 : 三星DDR SDRAM 512MB PC3200 (非原装零件) 零件号 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC制造商 : 三星电子 (SEC) 制造国 : 韩国建造年/周 : 2003/33 数据容量 : 512MB 时钟速度 : 400兆赫 (PC3200) 特征 : 184销, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [SEC K4H560838E，TCCC] ✕ 8 芯片数据 […]
产品名称 : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0制造商 : EKmemory生产国 : 韩国数据容量 : 2GB时钟速度 : 1333兆赫 (PC3-10600) 特征 : 240销, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM数据芯片组成 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 芯片VDD电压 : 1.5V首页 : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id =德拉姆&否= 91
