生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建造年份 : 1994 制造国 : 韩国零件编号 : HYM532100AM-70 外形尺寸 : SIMM 内存类型 : EDO DRAM 内存容量 : 4MB 总线类型 : 快速页面内存 (FPM) 纠错 : 非奇偶校验引脚 : 72针脚带宽 : 32位延迟 : 70NS (RAC) 电压 […]
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产品名称 : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0制造商 : EKmemory生产国 : 韩国数据容量 : 2GB时钟速度 : 1333兆赫 (PC3-10600) 特征 : 240销, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM数据芯片组成 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 芯片VDD电压 : 1.5V首页 : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id =德拉姆&否= 91
KMM591000AN-7由两块KM44C1000AJ-7芯片和一块KM44C1000CJ-7芯片组成. KMM591000BN-7由2个KM44C1000BJ-7芯片和1个KM44C1000CJ-7芯片组成. 它们是三星电子生产的1MB DRAM SIMM。. 制造商 : 三星电子制造年份 : 1992 / 1993 制造国 : 韩国模块功能 : 30销, SIMM, 奇偶校验RAM内存容量 […]
EDO DRAM 具有用于更快数据 I/O 的临时存储空间. 当系统无法接收缓存支持时有效. 但是如果系统有缓存, EDO DRAM的影响很小. 生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建立年/周 : 1997/32 制造国 : 韩国 (韩国) 零件号 […]
通过现代电子产业该RAM 30针1MB SIMM生产(目前海力士). 30-销的SIMM从普遍使用 80286 至 80486. 如果芯片的数量为奇数, 所述芯片中的一个进行奇偶校验. 这RAM由两个HY514400A的(1一M×4位) 和一个HY531000A(1一M×1位). 内存容量 […]
