https://www.devicelog.com/zh/ device, part, 规格 Sat, 04 Jun 2016 15:07:22 +0000 zh hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-zh 三星电子发布了采用30nm工艺技术的DDR3 SDRAM模块在七月 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

产品名称	三星DDR3 SDRAM 4GB PC3-10600 SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
生产厂家	三星电子 (SEC)
制造国	中国
构建年/周	2011/13
数据容量	4GB
时钟速度	1333兆赫 (PC3-10600)
内存时序	CL = 9, 的tRCD = 9, tRP的= 9
特征	204销, SODIMM, 非缓冲非ECC DDR3 SDRAM
生产工艺技术	40纳米
数据位	64位
内部模块银行	8
行列	2
数据芯片组合物	256一M× 8 * 16 个
组件版本	2GB, C-的
包	78 球FBGA
高度	30毫米
VDD电压	1.5V
工作温度范围	0°C〜85℃

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产品名称	三星4GB DDR3 SDRAM内存PC3-10600 (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
生产厂家	三星电子 (SEC)
制造国	韩国
构建年/周	2011/31
数据容量	4GB
时钟速度	1333兆赫 (PC3-10600)
内存时序	CL = 9, 的tRCD = 9, tRP的= 9
特征	240销, 无缓冲DDR3 ECC SDRAM DIMM
数据位	64位
深度 / 比特组织	512中号 / X8
内部模块银行	8
行列	2
数据芯片组合物	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 芯片 (256兆位✕ 8 ✕ 16 个)
组件版本	4第四代
包	FBGA (无铅 & 无卤)
高度	30毫米
VDD电压	1.5V
工作温度范围	0°C〜85℃

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