DDR3 SDRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/zh/ device, part, 规格 Tue, 23 Mar 2021 10:34:01 +0000 zh hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 三星8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-zh Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

产品名称 三星8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
生产厂家 三星电子
制造国 菲律宾的
构建年/周 2014/08
数据容量 8GB
时钟速度 1600兆赫 (PC3-12800)
内存时序 CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11
特征 240销, 无缓冲DDR3 ECC SDRAM DIMM
生产工艺技术 20, 30, 40纳米
数据位 64位
内部模块银行 8
行列 2
数据芯片组合物
(深×位组织×个)		 512M×8× 16 个
(K4B4G0846Q-HCK0× 16 个)
包
78 FBGA 无铅 & 无卤
(符合RoHS标准)
高度 30毫米
VDD电压 1.5电压±0.075V
工作温度范围 0°C〜95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 三星4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-zh 三星电子发布了采用30nm工艺技术的DDR3 SDRAM模块在七月 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

产品名称 三星DDR3 SDRAM 4GB PC3-10600 SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
生产厂家 三星电子 (SEC)
制造国 中国
构建年/周 2011/13
数据容量 4GB
时钟速度 1333兆赫 (PC3-10600)
内存时序 CL = 9, 的tRCD = 9, tRP的= 9
特征 204销, SODIMM, 非缓冲非ECC DDR3 SDRAM
生产工艺技术 40纳米
数据位 64位
内部模块银行 8
行列 2
数据芯片组合物 256一M× 8 * 16 个
组件版本 2GB, C-的
包 78 球FBGA
高度 30毫米
VDD电压 1.5V
工作温度范围 0°C〜85℃
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz的 (2RX8) https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-zh EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • 产品名称 : EK内存DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • 生产厂家 : 记忆
  • 制造国 : 韩国
  • 数据容量 : 2GB
  • 时钟速度 : 1333兆赫 (PC3-10600)
  • 特征 : 240销, 无缓冲DDR3 ECC SDRAM DIMM
  • 数据芯片组合物 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 芯片
  • VDD电压 : 1.5V
  • 主页 : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id =德拉姆&否= 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 三星4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz的 (2RX8, 韩国) https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-zh Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

产品名称 三星4GB DDR3 SDRAM内存PC3-10600
(2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
生产厂家 三星电子 (SEC)
制造国 韩国
构建年/周 2011/31
数据容量 4GB
时钟速度 1333兆赫 (PC3-10600)
内存时序 CL = 9, 的tRCD = 9, tRP的= 9
特征 240销, 无缓冲DDR3 ECC SDRAM DIMM
数据位 64位
深度 / 比特组织 512中号 / X8
内部模块银行 8
行列 2
数据芯片组合物 [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 芯片
(256兆位✕ 8 ✕ 16 个)
组件版本 4第四代
包 FBGA (无铅 & 无卤)
高度 30毫米
VDD电压 1.5V
工作温度范围 0°C〜85℃
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 三星2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz的 (1RX8, 中国) https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-zh Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

产品名称 三星DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB内存
(1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
生产厂家 三星电子
制造国 中国
构建年/周 2010/38
数据容量 2GB
时钟速度 1333兆赫 (PC3-10600)
特征 240销, 无缓冲DDR3 ECC SDRAM DIMM
生产工艺技术 40纳米
数据位 64位
内部模块银行 8
数据芯片组合物 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 芯片
深度 / 比特组织 256中号 / X8
组件版本 4第四代
包 FBGA (无铅 & 无卤)
高度 30毫米
VDD电压 1.5V
工作温度范围 0°C〜85℃
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6 ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/ https://www.devicelog.com/zh/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/#comments Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000 https://www.devicelog.com/?p=256-zh ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Rear

  • 产品名称 : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
  • 零件号 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
  • 生产厂家 : 艾尔皮达
  • 制造国 : 台湾
  • 建立年/周 : 2010/38
  • 构成因素 : DDR3 SO-DIMM
  • 特征 : 204销, 非ECC
  • 内存容量 : 2GB
  • 最大资料传输率 : 1333Mbps的
  • 电压 : 1.5V
  • 组织 : 256M字× 64 位, 2 等级
  • 芯片组成 : J1108BFBG-DJ-F × 16
  • 潜伏 (CL-tRCD-tRP) : 9-9-9
  • PCB高度 : 30毫米
  • 工作温度范围 : 0〜95℃
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/feed/ 6