非ECC – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/zh-tw/ device, part, 規格 Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 zh-tw hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 EK內存2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-zh-tw EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

產品名稱 EK內存2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
零件號 EKM256S74BP8-E6
生產廠家 EK記憶
製造國 台灣
芯片構建年/週 2008/27
記憶體模組類型 DDR2 SO-DIMM 200 銷
數據容量 2GB
時鐘速度 667兆赫 (PC2-5300)
內存時序 Cl = 5, tRCD=5, trp = 5
特徵 200銷
無緩衝
非ECC
筆記本(筆記本電腦) 記憶
數據位 64位
數據芯片信息 EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
包 FBGA (精細的BGA)
VDD電壓 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 三星16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-zh-tw SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

產品名稱 三星DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
零件號 M378A2K43CB1-CTD
(C-的)
生產廠家 三星電子
製造國 中國
建立年/週 2019 / 06
DIMM類型 Udinn
數據容量 16GB
數據速率
(最大帶寬)		 2666.67 MT / s的
(21333.33 MB /秒)
內存時序
(CL – 的tRCD – 激進黨 – tRAS的 – TRC)		 19-19-19-43-61
特徵 288銷, DDR4 ECC無緩衝DIMM SDRAM
數據位 64位
內部模塊銀行 16 銀行 (4 銀行組)
行列 2 (雙列)
構件組裝 (1G× 8) × 16
(K4A8G085WC-bCTD上) × 16
包 78FBGA與無鉛 & 無鹵
(符合RoHS標準)
高度 31.25 毫米
VDD電壓 1.2 V± 0.06 V
工作溫度範圍 平均更新週期7.8us在較低則T案件 85℃,
3.9我們在85℃ < Ť案件 ≤95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 三星8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-zh-tw SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

產品名稱 三星DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
零件號 M378A1K43CB2-CTD
(C-的)
生產廠家 三星電子
製造國 中國
建立年/週 2018 / 28
DIMM類型 Udinn
數據容量 8GB
數據速率
(最大帶寬)		 2666.67 MT / s的
(21333.33 MB /秒)
內存時序
(CL – 的tRCD – 激進黨 – tRAS的 – TRC)		 19-19-19-43-61
特徵 288銷, DDR4 ECC無緩衝DIMM SDRAM
數據位 64位
內部模塊銀行 16 銀行 (4 銀行組)
行列 1 (單排名)
構件組裝 (1G× 8) × 8
(K4A8G085WC-bCTD上) × 8
包 78FBGA與無鉛 & 無鹵
(符合RoHS標準)
高度 30毫米
VDD電壓 1.2V±0.06V
工作溫度範圍 平均更新週期7.8us在較低則T案件 85℃,
3.9我們在85℃ < Ť案件 ≤95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 三星512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, 非正版RAM) https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-zh-tw Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • 產品名稱 : 三星 DDR SDRAM 512MB PC3200 (非正品零件)
  • 零件號 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • 生產廠家 : 三星電子 (美國證券交易委員會)
  • 製造國 : 南韓
  • 建造年/週 : 2003/33
  • 數據容量 : 512MB
  • 時鐘速度 : 400兆赫 (PC3200)
  • 特徵 : 184銷, 無緩衝非 ECC DDR SDRAM DIMM
  • 數據芯片組成 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 籌碼
  • 數據庫 : 4 銀行
  • 刷新間隔 : 7.8微秒 (8K/64ms 刷新)
  • 讀取延遲 : 3 鐘 (CL3)
  • 突髮長度 : 2, 4, 8
  • 突發類型 : 連續的 & 交錯
  • 最大突髮刷新周期 : 8
  • VDD, 電源電壓 : 2.6V±0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 三星4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz的 (2RX8, 韓國) https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-zh-tw Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

產品名稱 三星4GB DDR3 SDRAM PC3-10600內存
(2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
生產廠家 三星電子 (美國證券交易委員會)
製造國 南韓
建造年/週 2011/31
數據容量 4GB
時鐘速度 1333兆赫 (PC3-10600)
內存時序 CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
特徵 240銷, 無緩衝非ECC DDR3 SDRAM DIMM
數據位 64位
深度 / 位組織 512中號 / x8
內部模塊庫 8
行列 2
數據芯片組成 [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 籌碼
(256兆比特✕ 8 ✕ 16 個)
組件修訂 4第三代
包 FBGA (無鉛 & 無鹵素)
高度 30毫米
VDD電壓 1.5V
工作溫度範圍 0°C〜85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 三星2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz的 (1RX8, 中國) https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/zh-tw/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-zh-tw Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

產品名稱 三星DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB內存
(1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
生產廠家 三星電子
製造國 中國
建造年/週 2010/38
數據容量 2GB
時鐘速度 1333兆赫 (PC3-10600)
特徵 240銷, 無緩衝非ECC DDR3 SDRAM DIMM
生產工藝技術 40納米
數據位 64位
內部模塊庫 8
數據芯片組成 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 籌碼
深度 / 位組織 256中號 / x8
組件修訂 4第三代
包 FBGA (無鉛 & 無鹵素)
高度 30毫米
VDD電壓 1.5V
工作溫度範圍 0°C〜85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6