400兆赫 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/yue/ device, part, spec Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 yue hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 三星512MB PC3200 DDR SDRAM內存 (CL3, 非正版內存) https://www.devicelog.com/yue/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/yue/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-yue Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • 產品名稱 : 三星DDR SDRAM 512MB PC3200 (非原裝零件)
  • 部件號 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • 製造者 : 三星電子 (秒)
  • 製造國 : 韓國
  • 建造年/周 : 2003/33
  • 數據容量 : 512兆字節
  • 時鐘速度 : 400兆赫 (PC3200型)
  • 特徵 : 184針, 無緩衝非ECC DDR SDRAM DIMM
  • 數據芯片組成 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 芯片
  • 數據庫 : 4 銀行
  • 刷新間隔 : 7.8微秒 (8K/64ms刷新)
  • 讀取延遲 : 3 時鐘 (CL3)
  • 突發長度 : 2, 4, 8
  • 連拍類型 : 順序 & 交織
  • 最大突發刷新周期 : 8
  • 電壓輸出, VDDQ : 2.6V ± 0.1V
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