https://www.devicelog.com/yi/ device, part, ספּעק Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 yi hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-yi

פּראָדוקט נאָמען	EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
טייל נומער	EKM256S74BP8-E6
פאַבריקאַנט	EK זכּרון
לאַנד פון מאַנופאַקטורינג	טייוואַן
שפּאָן בויען יאָר / וואָך	2008/27
זכּרון מאָדולע טיפּ	DDR2 SO-DIMM 200 שפּילקע
דאַטאַ קאַפּאַסיטי	2גיגאבייט
זייגער ספּיד	667מהז (PC2-5300)
זיקאָרן טיימינג	CL=5, tRCD=5, tRP=5
איינריכטונגען	200שפּילקע ניט באַפערד ניט-ECC העפט(לאַפּטאַפּ) זכּרון
דאַטאַ ביץ	x64
Data Chip info	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
פּעקל	Fbga (Fine-pitch BGA)
VDD וואָולטידזש	1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-yi

פּראָדוקט נאָמען	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666 וו-וב 1-11)
טייל נומער	M378A2K43CB1-CTD (ק-שטאַרבן)
פאַבריקאַנט	סאַמסונג עלעקטראָניקס
לאַנד פון מאַנופאַקטורינג	כינע
בויען יאָר / וואָך	2019 / 06
DIMM טיפּ	UDIMMs
דאַטאַ קאַפּאַסיטי	16גיגאבייט
דאַטע קורס (מאַקסימום באַנדווידט)	2666.67 מט / s (21333.33 מב / s)
זיקאָרן טיימינג (קלעפּ – trcd – טרפּ – נאָך – טרק)	19-19-19-43-61
איינריכטונגען	288שפּילקע, ונבאַפער ניט-ECC DDR4 SDRAM DIMM
דאַטאַ ביץ	x64
אינערלעכער מאָדולע באַנקס	16 באַנקס (4 באַנק גרופּעס)
רייען	2 (צווייענדיק ריי)
קאָמפּאָנענט זאַץ	(1ג × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
פּעקל	78פבגאַ מיט בלייַ-פריי & האַלאָגען-פֿרייַ (RoHS געהאָרכיק)
הייך	31.25 mm
VDD וואָולטידזש	1.2 V ± 0.06 V
אַפּערייטינג קאַסע טעמפּעראַטור ראַנגע	דורכשניטלעך דערפרישן פּעריאָד 7.8 ווס ביי נידעריקער ווי טיפאַל 85℃, 3.9מיר ביי 85 ℃ < טיפאַל ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-yi

פּראָדוקט נאָמען	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (פּק 4-2666 וו-ואַ 2-11)
טייל נומער	M378A1K43CB2-CTD (ק-שטאַרבן)
פאַבריקאַנט	סאַמסונג עלעקטראָניקס
לאַנד פון מאַנופאַקטורינג	כינע
בויען יאָר / וואָך	2018 / 28
DIMM טיפּ	UDIMMs
דאַטאַ קאַפּאַסיטי	8גיגאבייט
דאַטע קורס (מאַקסימום באַנדווידט)	2666.67 מט / s (21333.33 מב / s)
זיקאָרן טיימינג (קלעפּ – trcd – טרפּ – נאָך – טרק)	19-19-19-43-61
איינריכטונגען	288שפּילקע, ונבאַפער ניט-ECC DDR4 SDRAM DIMM
דאַטאַ ביץ	x64
אינערלעכער מאָדולע באַנקס	16 באַנקס (4 באַנק גרופּעס)
רייען	1 (איין ריי)
קאָמפּאָנענט זאַץ	(1ג × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
פּעקל	78פבגאַ מיט בלייַ-פריי & האַלאָגען-פֿרייַ (RoHS געהאָרכיק)
הייך	30mm
VDD וואָולטידזש	1.2V ± 0.06וו
אַפּערייטינג קאַסע טעמפּעראַטור ראַנגע	דורכשניטלעך דערפרישן פּעריאָד 7.8 ווס ביי נידעריקער ווי טיפאַל 85℃, 3.9מיר ביי 85 ℃ < טיפאַל ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-yi

פּראָדוקט נאָמען	Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 זכּרון (2Rx8, PC3-10600U-09-10-אַ0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
פאַבריקאַנט	סאַמסונג עלעקטראָניקס (סעק)
לאַנד פון פּראָדוצירן	דרום קארעע
בויען יאָר / וואָך	2011/31
דאַטאַ קאַפּאַסיטי	4גיגאבייט
זייגער גיכקייַט	1333מהז (PC3-10600)
זיקאָרן טיימינג	קל=9, tRCD=9, tRP=9
איינריכטונגען	240שפּילקע, ונבופער ניט-ECC DDR3 SDRAM DIMM
דאַטן ביטן	x64
טיפעניש / ביסל אָרגאַניזאַציע	512מ / x8
אינערלעכער מאָדולע באַנקס	8
רייען	2
דאַטאַ שפּאָן זאַץ	[סעק הטש9 ק4ב2ג0846ד] ✕ 16 טשיפּס (256מביט ✕ 8 ✕ 16 פּקס)
קאָמפּאָנענט רעוויזיע	4די דור
פּעקל	Fbga (בלי-פֿרייַ & האַלאָגען-פֿרייַ)
הייך	30mm
VDD וואָולטידזש	1.5V
אַפּערייטינג קאַסע טעמפּעראַטור ראַנגע	0°C ~ 85 °C

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0