זכּרון – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/yi/ device, part, ספּעק Mon, 25 Jul 2022 04:37:45 +0000 yi hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2Rx8) https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-yi EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • פּראָדוקט נאָמען : קענסט מיר העלפן
  • פאַבריקאַנט : EKmemory
  • לאַנד פון פּראָדוצירן : דרום קארעע
  • דאַטאַ קאַפּאַסיטי : 2גיגאבייט
  • זייגער גיכקייַט : 1333מהז (PC3-10600)
  • איינריכטונגען : 240שפּילקע, ונבופער ניט-ECC DDR3 SDRAM DIMM
  • דאַטאַ שפּאָן זאַץ : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 טשיפּס
  • VDD וואָולטידזש : 1.5V
  • האָמעפּאַגע : הטטפּ://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&ניין=91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 Samsung SDHC קלאַס 10 יקערדיק 32 גיגאבייט https://www.devicelog.com/yi/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/ https://www.devicelog.com/yi/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/#respond Sat, 02 Mar 2013 16:03:37 +0000 https://www.devicelog.com/?p=625-yi Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Package

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Frontside

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Backside

  • פּראָדוקט נאָמען : Samsung SDHC קלאַס 10 יקערדיק 32 גיגאבייט
  • מאָדעל נאָמען : MB-SSBGA/KR
  • פאַבריקאַנט : סאַמסונג עלעקטראָניקס
  • לאַנד פון פּראָדוצירן : דרום קארעע
  • זיקאָרן טיפּ : SDHC
  • גרייס : 32mm x 24mm x 2.1mm
  • דאַטאַ קאַפּאַסיטי : 32גיגאבייט (2923GiB, 29927MiB)
  • לייענען גיכקייַט : מאַקס. 24מב / s
  • שרייבן גיכקייַט : מאַקס. 13מב / s
  • ערלויבט וואָולטידזש : 2.7 ~ 3.6וו
  • Operating/non-operating temperature range : -25 ~ 85 °C / -40 ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/feed/ 0 Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2Rx8, קארעע) https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-yi Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

פּראָדוקט נאָמען Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 זכּרון
(2Rx8, PC3-10600U-09-10-אַ0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
פאַבריקאַנט סאַמסונג עלעקטראָניקס (סעק)
לאַנד פון פּראָדוצירן דרום קארעע
בויען יאָר / וואָך 2011/31
דאַטאַ קאַפּאַסיטי 4גיגאבייט
זייגער גיכקייַט 1333מהז (PC3-10600)
זיקאָרן טיימינג קל=9, tRCD=9, tRP=9
איינריכטונגען 240שפּילקע, ונבופער ניט-ECC DDR3 SDRAM DIMM
דאַטן ביטן x64
טיפעניש / ביסל אָרגאַניזאַציע 512מ / x8
אינערלעכער מאָדולע באַנקס 8
רייען 2
דאַטאַ שפּאָן זאַץ [סעק הטש9 ק4ב2ג0846ד] ✕ 16 טשיפּס
(256מביט ✕ 8 ✕ 16 פּקס)
קאָמפּאָנענט רעוויזיע 4די דור
פּעקל Fbga (בלי-פֿרייַ & האַלאָגען-פֿרייַ)
הייך 30mm
VDD וואָולטידזש 1.5V
אַפּערייטינג קאַסע טעמפּעראַטור ראַנגע 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 UMC סינק קאַש מאָדולע 256KB (רערנ - ליניע פּלאַצן קאַש, קאָוסט) https://www.devicelog.com/yi/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/ https://www.devicelog.com/yi/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/#comments Sat, 05 Jan 2013 13:27:32 +0000 https://www.devicelog.com/?p=535-yi UMC Sync Cache Module 256KB Frontside (Pipeline Burst Cache)

UMC Sync Cache Module 256KB Backside (Pipeline Burst Cache)

פילע מאַינבאָאַרדס, שטיצט פרי פּענטיום קפּו, יוזשאַוואַלי האט סינק קאַש זיקאָרן טשיפּס ווי קפּו ל 2 קאַש. דעם סינק קאַש מאָדולע(קאָוסט; קאַש אויף אַ שטעקן) איז פונדרויסנדיק זיקאָרן מאָדולע געניצט ווי נאָך קפּו ל 2 קאַש. עס מאַקסאַמייזיז די פאָרשטעלונג פון די פּראַסעסער בשעת דער פּראַסעסער איז ווארטן פֿאַר ינסטראַקשאַנז אָדער דאַטן. L2 cache is used for operating closer to the theoretical limit of the microprocessor.

'ריפּלינג’ סאַגדזשעסץ אַז די טראַנספערס נאָך דער ערשטער אַריבערפירן פּאַסירן איידער דער ערשטער אַריבערפירן איז אנגעקומען צו די פּראַסעסער. 'פּיפּלעלינע פּלאַצן קאַש’ was developed as an alternative to asynchronous cache and synchronous burst cache.

  • פּראָדוקט נאָמען : UMC סינק קאַש מאָדולע 256KB (ווערסיע : 1.8)
  • טייל נומער : LM 2MV 94V-0
  • פאַבריקאַנט : UMC
  • לאַנד פון פּראָדוצירן : טייוואַן
  • בויען יאָר / וואָך : 1996/39
  • דאַטאַ קאַפּאַסיטי : 256קב
  • שטיפט ציילן : 80פּינס
  • איינריכטונגען : קאָוסט(קאַש אויף אַ שטעקן), רערנ - ליניע פּלאַצן קאַש, נאָך L2 קאַש, SRAM
  • וואָולטידזש : 3.3V
  • טשיפּ זאַץ : [M61(ל)3232AF-7 9641S MM4X52] ✕ 2 + [M61(עם)256s-15 9549D RB1121] ✕ 1

 

Sync Cache Module Slot (Pipeline_Burst_Cache Moduel Slot)

UMC Sync cache module installed on Soyo mainboard slot

]]> https://www.devicelog.com/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/feed/ 2 גאָלדסטאַר 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/#respond Tue, 02 Aug 2011 09:45:54 +0000 https://www.devicelog.com/?p=46-yi דעם SIMM פּלייטאַד מיט גאָלדען קאָליר. The plating color and the board form of this SIMM is different from the SIMM with GM71C4400A.

GM71C4400B איז 1M × 4bit. און GM71C1000B איז 1M × 4bit. The memory capacity and the function of this SIMM is not different from the SIMM with GM71C4400A and GM71C1000.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (frontside)

Goldstar 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (backside)

  • מאַנופאַקטורינג פֿירמע : Goldstar Electon
  • מאַניאַפאַקטשערד יאָר : 1994
  • לאַנד פון פּראָדוצירן : דרום קארעע
  • מאָדולע פֿעיִקייטן : 30שפּילקע, SIMM, פּאַריטעט באַראַן
  • זכּרון קאַפּאַסיטי : 1MB
  • באַנדווידטה : 8שטיקל
  • Speed ​​Feature : 70ns(tRAC)
  • טשיפּ זאַץ : GM71C4400B × 2 + GM71C1000B

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/feed/ 0 גאָלדסטאַר 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/#comments Tue, 02 Aug 2011 05:39:00 +0000 https://www.devicelog.com/?p=23-yi גאָלדסטאַר איז די טריידמאַרק פון Goldstar Electron Co., לטד. עס טשיינדזשד זיין נאָמען אין LG Semiconductor (LG Semicon) בייַ 1995, און עס איז געווען מערדזשד אין היונדאַי עלעקטראָניק אינדוסטריע (היניקס פון איצט) at 1999.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (frontside)Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (backside)

  • מאַנופאַקטורינג פֿירמע : גאָלדסטאַר עלעקטראָן
  • מאַניאַפאַקטשערד יאָר: 1993
  • לאַנד פון פּראָדוצירן : דרום קארעע
  • מאָדולע פֿעיִקייטן : 30שפּילקע, DRAM, SIMM, פּאַריטעט באַראַן
  • זכּרון קאַפּאַסיטי : 1MB
  • באַנדווידטה : 8שטיקל
  • Speed ​​Feature : 70ns(tRAC)
  • טשיפּ זאַץ : GM71C4400A × 2 + GM71C1000
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/feed/ 2 Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/yi/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-yi דעם באַראַן איז 30-שפּילקע 1MB SIMM געשאפן דורך Hyundai עלעקטראָניק אינדוסטריע(היניקס פון איצט). 30-שטיפט סיממס זענען יונאַווערסאַלי געניצט פֿון 80286 צו 80486. אויב די נומער פון טשיפּס איז מאָדנע נומער, one of the chips perform parity check.

דעם באַראַן איז קאַמפּאָוזד פון צוויי HY514400A(1מ רענטגענ 4 ביט) און איינער HY531000A(1מ רענטגענ 1 ביט). די זכּרון קאַפּאַציטעט פון די באַראַן איז 1MB. HY531000A איז אַ דאַטן שפּאָן, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • פאַבריקאַנט : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • מאַניאַפאַקטשערד יאָר : 1993
  • פּראָדוקט פֿעיִקייטן : 30-שפּילקע, DRAM SIMM, פּאַריטעט באַראַן
  • זכּרון קאַפּאַסיטי : 1MB
  • באַנדווידט : 8שטיקל
  • Speed ​​Feature : 70ns(tRAC)
  • טשיפּ זאַץ : HY514400A × 2 + HY531000A (4×2 + 1 ביטן)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1