پروڈکٹ کا نام سیمسنگ ڈی ڈی آر 3 ایس ڈی آر اے ایم پی سی 3-10600 2 جی بی میموری (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) مینوفیکچرر سیمسنگ الیکٹرانکس ملک کا تیاری چین بلڈ سال/ہفتہ 2010/38 ڈیٹا کی گنجائش 2 جی بی گھڑی کی رفتار 1333MHz (پی سی 3-10600) خصوصیات 240pin, unbuffer غیر ECC DDR3 SDRAM DIMM پروڈکشن پروسیس ٹیکنالوجی 40NM ڈیٹا بٹس X64 داخلی ماڈیول بینک 8 ڈیٹا چپ ساخت [سیکنڈ HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 چپس […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta میموری, DDR SDRAM میموری ماڈیولز میں, سب سے پہلے Samsung TCCD میموری چپس کے ساتھ 600Mhz گھڑی کی رفتار حاصل کی۔. A-data Viesta کی ڈیٹا کی گنجائش 512MB یا 256MB تھی۔. یہ زیادہ تر اوور کلاکنگ کے لیے استعمال ہوتا تھا۔.   پروڈکٹ کا نام A-DATA Vitesta DDR600 512MB پارٹ نمبر MDOSSLF3H47A0B1G0Z مینوفیکچرر A-DATA مینوفیکچرر کا ملک تائیوان تعمیراتی سال 2004 خصوصیات 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 دو KM444C1000AJ-7 چپس اور ایک KM44C1000CJ-7 CHIP پر مشتمل ہے. KMM591000BN-7 دو KM444C1000BJ-7 چپس اور ایک KM44C1000CJ-7 CHIP کے ساتھ مشتمل ہے. وہ سیمسنگ الیکٹرانکس کے ذریعہ تیار کردہ 1MB ڈرم سمز ہیں. مینوفیکچرنگ کمپنی : سیمسنگ الیکٹرانکس تیار کردہ سال : 1992 / 1993 تیاری کا ملک : جنوبی کوریا کے ماڈیول کی خصوصیات : 30پن, سم, برابری رام میموری کی گنجائش […]

مصنوعات کا نام : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 فارم فیکٹر : DDR3 SO-DIMM Features : 204پن, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256ایم الفاظ × 64 بٹس, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

ایڈو ڈرم کے پاس تیز ڈیٹا I/O کے لئے عارضی میموری کی جگہ ہے. یہ موثر ہے جب نظام کیشے کی میموری کی حمایت حاصل نہیں کرسکتا ہے. لیکن اگر اس نظام میں کیشے کی میموری ہے, ایڈو ڈرم کا اثر بہت کم ہے. مینوفیکچرر : ہنڈئ الیکٹرانکس انڈسٹریز کمپنی, لمیٹڈ. سال/ہفتہ تعمیر کریں : 1997/32 تیاری کا ملک : کوریا (جنوبی کوریا) حصہ نمبر […]