ڈرام – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ur/ device, part, شکایت Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 ur hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-ur Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • پروڈکٹ کا نام : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • حصہ نمبر : KMM366S203CTL-G0
  • مینوفیکچرر : Samsung Electronics Co., لمیٹڈ. (ایس ای سی)
  • تیاری کا ملک : جنوبی کوریا
  • سال/ہفتہ تعمیر کریں : 1998/09
  • ڈیٹا کی صلاحیت : 16ایم بی
  • گھڑی کی رفتار : 66میگاہرٹز (پی سی 66)
  • خصوصیات : 168 پن, غیر بفر شدہ غیر ECC SDRAM DIMM
  • ڈیٹا چپ ساخت : [KM48S2020CT-G10] × 8 چپس
    (2ایم × 64 بٹ)
  • ایک چپ کی معلومات
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM یا UQL004DD)
    • میموری آئی سی کی قسم : ہم وقت ساز DRAM
    • صلاحیت : 2ایم ایکس 8 بٹ
    • رسائی کا وقت - زیادہ سے زیادہ : 7 ns
    • انٹرلیوڈ برسٹ کی لمبائی: 1, 2, 4, 8
    • گھڑی کی فریکوئنسی-زیادہ سے زیادہ (fCLK) : 100 میگاہرٹز
    • 44 پن
    • سال/ہفتہ تعمیر کریں : 1998/07
  • وی ڈی ڈی : 3.3وی
  • ای ٹی سی : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-ur LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • پروڈکٹ کا نام : LG SDRAM 16MB PC66
  • حصہ نمبر : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • مینوفیکچرر : LG سیمیکن کمپنی, Ltd.
  • تیاری کا ملک : جنوبی کوریا
  • سال/ہفتہ تعمیر کریں : 1997/03
  • ڈیٹا کی صلاحیت : 16ایم بی
  • گھڑی کی رفتار : 66میگاہرٹز (پی سی 66)
  • خصوصیات : 168پن, غیر بفر شدہ غیر ECC SDRAM DIMM
  • ڈیٹا چپ ساخت : [GM72V16821BT10K] × 8 چپس
    (2ایم × 64 بٹ)
  • ایک چپ گنجائش : 2ایم ایکس 8 بٹ
  • وی ڈی ڈی : 3.3وی
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-ur LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • مینوفیکچرر : LG سیمیکن کمپنی, Ltd.
  • تیاری کا ملک : جنوبی کوریا
  • حصہ نمبر : ?
  • فارم فیکٹر : سم
  • خصوصیات : 72پن, ای ڈی او ڈرام, عدم مساوات
  • میموری کی گنجائش : 16ایم بی
  • بینڈوڈتھ : 32بٹ
  • رفتار : 60ns(TRAC)
  • وولٹیج : 5وی
  • چپ ساخت : GM71C17400CJ6 × 8
  • چپ بلڈ سال/ہفتہ : 1998/27
  • ایک چپ گنجائش : 4ایم ایکس 4 بٹ
  • وغیرہ : ایڈونکس®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK میموری 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ur EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

مصنوعات کا نام EK میموری 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
حصہ نمبر EKM256S74BP8-E6
مینوفیکچرر ای کے میموری
تیاری کا ملک تائیوان
چپ بلڈ سال/ہفتہ 2008/27
میموری ماڈیول کی قسم DDR2 SO-DIMM 200 پن
ڈیٹا کی صلاحیت 2جی بی
گھڑی کی رفتار 667میگاہرٹز (PC2-5300)
میموری کا وقت CL=5, tRCD=5, tRP=5
خصوصیات 200پن
غیر منقولہ
غیر ECC
نوٹ بک(لیپ ٹاپ) یاداشت
ڈیٹا بٹس x64
ڈیٹا چپ کی معلومات EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
پیکیج ایف بی جی اے (فائن پچ BGA)
وی ڈی ڈی وولٹیج 1.8وی

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 سیمسنگ 16 جی بی ڈی ڈی آر 4 ایس ڈی آر اے ایم یو ڈی آئی ایم ایم 2 آر ایکس 8 پی سی 4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ur SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

مصنوعات کا نام Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
حصہ نمبر M378A2K43CB1-CTD
(سی-دی)
مینوفیکچرر سیمسنگ الیکٹرانکس
تیاری کا ملک چین
سال/ہفتہ تعمیر کریں 2019 / 06
DIMM قسم UDIMMs
ڈیٹا کی صلاحیت 16جی بی
ڈیٹا کی شرح
(میکس بینڈوتھ)		 2666.67 Mt/s
(21333.33 ایم بی/ایس)
میموری کا وقت
(سی ایل – trcd – trp – کے بعد – TRC)		 19-19-19-43-61
خصوصیات 288پن, غیر ECC DDR4 SDRAM DIMM کو غیر بفر کریں۔
ڈیٹا بٹس x64
اندرونی ماڈیول بینکس 16 بینکوں (4 بینک گروپس)
رینک 2 (دوہری رینک)
اجزاء کی ترکیب (1جی × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
پیکیج 78لیڈ فری کے ساتھ FBGA & ہالوجن سے پاک
(RoHS کے مطابق)
اونچائی 31.25 ملی میٹر
وی ڈی ڈی وولٹیج 1.2 V ± 0.06 وی
آپریٹنگ کیس درجہ حرارت کی حد اوسط ریفریش پیریڈ 7.8us اس سے کم پر Tکیس 85℃,
3.9ہمیں 85℃ پر < ٹیکیس ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 سیمسنگ 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1RX8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-ur SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

مصنوعات کا نام Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
حصہ نمبر M378A1K43CB2-CTD
(سی-دی)
مینوفیکچرر سیمسنگ الیکٹرانکس
تیاری کا ملک چین
سال/ہفتہ تعمیر کریں 2018 / 28
DIMM قسم UDIMMs
ڈیٹا کی صلاحیت 8جی بی
ڈیٹا کی شرح
(میکس بینڈوتھ)		 2666.67 Mt/s
(21333.33 ایم بی/ایس)
میموری کا وقت
(سی ایل – trcd – trp – کے بعد – TRC)		 19-19-19-43-61
خصوصیات 288پن, غیر ECC DDR4 SDRAM DIMM کو غیر بفر کریں۔
ڈیٹا بٹس x64
اندرونی ماڈیول بینکس 16 بینکوں (4 بینک گروپس)
رینک 1 (سنگل رینک)
اجزاء کی ترکیب (1جی × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
پیکیج 78لیڈ فری کے ساتھ FBGA & ہالوجن سے پاک
(RoHS کے مطابق)
اونچائی 30ملی میٹر
وی ڈی ڈی وولٹیج 1.2V ± 0.06V
آپریٹنگ کیس درجہ حرارت کی حد اوسط ریفریش پیریڈ 7.8us اس سے کم پر Tکیس 85℃,
3.9ہمیں 85℃ پر < ٹیکیس ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-ur Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

مصنوعات کا نام Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
حصہ نمبر M378T5663QZ3-CF7
مینوفیکچرر سیمسنگ الیکٹرانکس
تیاری کا ملک چین
سال/ہفتہ تعمیر کریں 2009/04, 2010/07
میموری ماڈیول کی قسم dimm
ڈیٹا کی صلاحیت 2جی بی
گھڑی کی رفتار 800میگاہرٹز (PC2-6400)
میموری کا وقت CL=6, tRCD=6, tRP=6
خصوصیات 240پن, غیر بفر شدہ غیر ECC DDR2 SDRAM DIMM
ڈیٹا بٹس x64
اندرونی ماڈیول بینکس 8
رینک 2
ڈیٹا چپ کی ساخت
(گہرائی × بٹ تنظیم × پی سیز)		 128M × 8 × 16 پی سیز
(K4T1G084QQ × 16pcs)
پیکیج 60لیڈ فری اور ہیلوجن فری کے ساتھ ایف بی جی اے
(RoHS کے مطابق)
اونچائی 30ملی میٹر
وی ڈی ڈی وولٹیج 1.8V±0.1V
آپریٹنگ کیس درجہ حرارت کی حد 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 سیمسنگ 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2r × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-ur Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

پروڈکٹ کا نام Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
مینوفیکچرر سیمسنگ الیکٹرانکس
تیاری کا ملک فلپائن
سال/ہفتہ تعمیر کریں 2014/08
ڈیٹا کی صلاحیت 8جی بی
گھڑی کی رفتار 1600میگاہرٹز (پی سی 3-12800)
میموری کا وقت CL=11, trcd = 11, tRP=11
خصوصیات 240پن, unbuffer غیر ECC DDR3 SDRAM DIMM
پروڈکشن پروسیس ٹکنالوجی 20, 30, 40nm
ڈیٹا بٹس x64
اندرونی ماڈیول بینک 8
رینک 2
ڈیٹا چپ ساخت
(گہرائی × بٹ تنظیم × پی سیز)		 512M×8 × 16 پی سی
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 پی سی)
پیکیج
78 ایف بی جی اے لیڈ فری کے ساتھ & ہالوجن سے پاک
(RoHS کے مطابق)
اونچائی 30ملی میٹر
VDD وولٹیج 1.5V ± 0.075V
آپریٹنگ کیس درجہ حرارت کی حد 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 سیمسنگ 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ur M368L6423DTM 32M بٹ X ہے 64 ڈبل ڈیٹا ریٹ(ڈی ڈی آر) بالترتیب 256MB DDR SDRAM کے پانچویں جنریشن پر مبنی SDRAM ہائی کثافت میموری ماڈیول. M368L6423DTM سولہ CMOS 32M x پر مشتمل ہے 8 4 بینکس کے ساتھ تھوڑا سا ڈبل ​​ڈیٹا ریٹ SDRAMS 66PIN TSOP-II میں(400مل) پیکیجز 184pin گلاس-ایپوکسی سبسٹریٹ پر سوار ہیں. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

پروڈکٹ کا نام Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
مینوفیکچرر سیمسنگ الیکٹرانکس
تیاری کا ملک کوریا
سال/ہفتہ تعمیر کریں 2003/12
ڈیٹا کی صلاحیت 512ایم بی
گھڑی کی رفتار 166میگاہرٹز (پی سی 2700, DDR333)
میموری کا وقت CL=2.5
خصوصیات 184پن, dimm, غیر بفر شدہ غیر ECC DDR SDRAM
سائز 133.35mm × 31.75mm
ڈیٹا بٹس 64بٹ
اندرونی ماڈیول بینک 4
ڈیٹا چپ ساخت K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16chips)
پیکیج TSOP-II
VDD وولٹیج 2.5V ± 0.2V
آپریٹنگ کیس درجہ حرارت کی حد 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 سیمسنگ 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/ur/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-ur سیمسنگ الیکٹرانکس نے جولائی میں 30nm پروسیس ٹکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے DDR3 SDRAM ماڈیول جاری کیے 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

پروڈکٹ کا نام Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, پی سی 3-10600s-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
مینوفیکچرر سیمسنگ الیکٹرانکس (ایس ای سی)
تیاری کا ملک چین
سال/ہفتہ تعمیر کریں 2011/13
ڈیٹا کی صلاحیت 4جی بی
گھڑی کی رفتار 1333میگاہرٹز (پی سی 3-10600)
میموری کا وقت cl = 9, trcd = 9, trp = 9
خصوصیات 204پن, سوڈیم, غیر ECC DDR3 SDRAM کو غیر بفر کریں۔
پروڈکشن پروسیس ٹکنالوجی 40nm
ڈیٹا بٹس x64
اندرونی ماڈیول بینک 8
رینک 2
ڈیٹا چپ ساخت 256ایم ایکس 8 * 16 پی سی
اجزاء پر نظر ثانی 2جی بی, سی-دی
پیکیج 78 گیند FBGA
اونچائی 30ملی میٹر
VDD وولٹیج 1.5وی
آپریٹنگ کیس درجہ حرارت کی حد 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3