1.2v – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/uk/ device, part, специфікація Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 uk hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/uk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/uk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-uk SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

Назва продукту Samsung DDR4 SDRAM 16 ГБ 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Номер частини M378A2K43CB1-CTD
(C-the)
виробник Samsung Electronics
Країна виробник Китай
Рік побудови / Тиждень 2019 / 06
Тип DIMM UDIMM
Ємність даних 16гігабайт
Швидкість передачі даних
(Макс. Пропускна здатність)		 2666.67 MT / с
(21333.33 Мб / с)
Час пам’яті
(CL – tRCD – тРП – після – tRC)		 19-19-19-43-61
риси 288шпилька, Розпакуйте не-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Біти даних x64
Внутрішній модульний банк 16 Банки (4 Банківські групи)
Чини 2 (Подвійний ранг)
Компонентний склад (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Пакет 78FBGA з функцією без свинцю & Без галогену
(RoHS сумісні)
Висота 31.25 мм
Напруга VDD 1.2 V ± 0.06 V
Робоча температура корпусу Діапазон Середній період оновлення 7,8us при нижньому від TСЛУЧАЙ 85℃,
3.9нам у 85 ℃ < ТСЛУЧАЙ ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/uk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/uk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-uk SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Назва продукту Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Номер частини M378A1K43CB2-CTD
(C-the)
виробник Samsung Electronics
Країна виробник Китай
Рік побудови / Тиждень 2018 / 28
Тип DIMM UDIMM
Ємність даних 8гігабайт
Швидкість передачі даних
(Макс. Пропускна здатність)		 2666.67 MT / с
(21333.33 Мб / с)
Час пам’яті
(CL – tRCD – тРП – після – tRC)		 19-19-19-43-61
риси 288шпилька, Розпакуйте не-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Біти даних x64
Внутрішній модульний банк 16 Банки (4 Банківські групи)
Чини 1 (Єдиний ранг)
Компонентний склад (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Пакет 78FBGA з функцією без свинцю & Без галогену
(RoHS сумісні)
Висота 30мм
Напруга VDD 1.2V ± 0,06В
Робоча температура корпусу Діапазон Середній період оновлення 7,8us при нижньому від TСЛУЧАЙ 85℃,
3.9нам у 85 ℃ < ТСЛУЧАЙ ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0