https://www.devicelog.com/tr/ device, part, şartname Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 tr hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/tr/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/tr/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-tr

Ürün adı	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Parça Numarası	M378A2K43CB1-CTD (Cı-)
Üretici firma	Samsung Elektronik
Üretici Ülke	Çin
Yıl / Hafta kurmak	2019 / 06
DIMM türü	UDIMM
Veri Kapasitesi	16GB
Veri hızı (Maksimum bant genişliği)	2666.67 MT / sn (21333.33 MB / sn)
Bellek Zamanlaması (CL – tRCD – tRP – sonra – tRC)	19-19-19-43-61
Özellikleri	288toplu iğne, Tamponlayıcı ECC Dışı DDR4 SDRAM DIMM
Veri bitleri	x64
Dahili Modül Bankaları	16 Bankalar (4 Banka Grupları)
Rütbeler	2 (Çift Sıra)
Bileşen Kompozisyonu	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
paket	78Kurşunsuz FBGA & Halojensiz (RoHS uyumlu)
Yükseklik	31.25 aa
VDD Gerilimi	1.2 V ± 0.06 V
Çalışma Vaka Sıcaklık Aralığı	Ortalama Yenileme Süresi 7.8us daha düşük T sonra TDURUM 85℃, 3.9bize 85 ℃ < TDURUM ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/tr/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/tr/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-tr

Ürün adı	Samsung DDR4 SDRAM 8 GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Parça Numarası	M378A1K43CB2-CTD (Cı-)
Üretici firma	Samsung Elektronik
Üretici Ülke	Çin
Yıl / Hafta kurmak	2018 / 28
DIMM türü	UDIMM
Veri Kapasitesi	8GB
Veri hızı (Maksimum bant genişliği)	2666.67 MT / sn (21333.33 MB / sn)
Bellek Zamanlaması (CL – tRCD – tRP – sonra – tRC)	19-19-19-43-61
Özellikleri	288toplu iğne, Tamponlayıcı ECC Dışı DDR4 SDRAM DIMM
Veri bitleri	x64
Dahili Modül Bankaları	16 Bankalar (4 Banka Grupları)
Rütbeler	1 (Tek Sıra)
Bileşen Kompozisyonu	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
paket	78Kurşunsuz FBGA & Halojensiz (RoHS uyumlu)
Yükseklik	30aa
VDD Gerilimi	1.2V ± 0.06V
Çalışma Vaka Sıcaklık Aralığı	Ortalama Yenileme Süresi 7.8us daha düşük T sonra TDURUM 85℃, 3.9bize 85 ℃ < TDURUM ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0