CL3 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/tr/ device, part, şartname Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 tr hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, Orijinal olmayan RAM) https://www.devicelog.com/tr/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/tr/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-tr Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Ürün adı : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (orijinal olmayan parçalar)
  • Parça numarası : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Üretici firma : Samsung Elektronik (SEC)
  • Üretildiği ülke : Güney Kore
  • Yapım yılı / hafta : 2003/33
  • Veri Kapasitesi : 512MB
  • Saat hızı : 400Mhz (PC3200)
  • Özellikleri : 184toplu iğne, Arabelleğe Alınmamış ECC Olmayan DDR SDRAM DIMM
  • Veri yongası bileşimi : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 cips
  • Veri bankaları : 4 bankalar
  • Yenileme aralığı : 7.8μs (8K / 64ms yenileme)
  • Gecikmeyi oku : 3 saat (CL3)
  • Patlama uzunluğu : 2, 4, 8
  • Seri çekim türü : ardışık & serpiştirmek
  • Maksimum seri yenileme yenileme döngüsü : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3