ซัมซุง – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/th/ device, part, ข้อมูลจำเพาะ Wed, 10 Jan 2024 04:48:39 +0000 th hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 emTek XENON GeForce GTX460 Master D5 768MB Turbo Cool+ https://www.devicelog.com/th/output/vga/pci-express/emtek-xenon-geforce-gtx460-master-d5-768mb-turbo-cool/ https://www.devicelog.com/th/output/vga/pci-express/emtek-xenon-geforce-gtx460-master-d5-768mb-turbo-cool/#comments Sun, 01 Jan 2023 07:54:19 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1463-th emTek GeForce GTX460 768M GDDR5 192B

ชื่อผลิตภัณฑ์ emTek XENON GeForce GTX460 Master D5 768MB Turbo Cool+
รหัสสินค้า NE5T460FHD79-N1040
PT-GTX460
EMT-PT-GTX460
วันที่วางจำหน่าย 2010-07
ผู้ผลิตชิปเซ็ต NVIDIA
ผู้ผลิตบอร์ด เอ็มเทค
ประเทศผู้ผลิต ประเทศจีน
ผู้ผลิตหน่วยความจำ ซัมซุง
ชิปเซ็ต/GPU ซีรีส์ จีฟอร์ซ GTX460
ชื่อรหัส GPU GF104
สถาปัตยกรรมจีพียู เฟอร์มี
เทคโนโลยีจีพียู 40นาโนเมตร
ขนาดดาย GPU 332 ตารางมิลลิเมตร
วันที่วางจำหน่าย GPU 2010-07-12
นาฬิกาจีพียู กราฟิก : 675เมกะเฮิรตซ์
หน่วยประมวลผล : 1350เมกะเฮิรตซ์
โปรเซสเซอร์ CUDA 336
ประเภทแรมวิดีโอ GDDR5
ขนาดแรมวิดีโอ 768MB
นาฬิกาแรมวิดีโอ 3600เมกะเฮิรตซ์
อินเตอร์เฟสบัส พีซีไอ เอ็กซ์เพรส 2.0 ×16
ความกว้างบัสหน่วยความจำ 192นิดหน่อย
เทคโนโลยีคอมพิวเตอร์ ไดเรคเอ็กซ์ 11, • VCCM 5, OpenGL 4.0
การใช้พลังงาน แม็กซ์. 150W
พาวเวอร์ซัพพลายที่แนะนำ 450ว+
กำลังเสริม : 6pin × 2
โซลูชั่นระบายความร้อน เทอร์โบ คูล+ (ขนาดคูลเลอร์ : 75มิลลิเมตร)
ตัวเชื่อมต่อวิดีโอ D-sub × 1
DVI × 1
HDMI × 1
ความละเอียดสูงสุด
(ต่อการแสดงผล)		 แม็กซ์. ดิจิตอล : 2560 × 1600
แม็กซ์. VGA : 2048 × 1536
คุณสมบัติ • NVIDIA SLI
• เอชดีซีพี
• ความยาว: 170มิลลิเมตร
• ความสูง: 98มิลลิเมตร
• ความกว้าง : 30มิลลิเมตร

emTek GeForce GTX460 768M GDDR5 192BemTek GeForce GTX460 768M GDDR5 192B emTek GeForce GTX460 768M GDDR5 192B

]]> https://www.devicelog.com/output/vga/pci-express/emtek-xenon-geforce-gtx460-master-d5-768mb-turbo-cool/feed/ 2 Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD (ฟีนิกซ์คอนโทรลเลอร์) https://www.devicelog.com/th/storage/ssd/m-2/nvme/samsung-256gb-pm981-m2-pcie-nvme-phoenix/ https://www.devicelog.com/th/storage/ssd/m-2/nvme/samsung-256gb-pm981-m2-pcie-nvme-phoenix/#respond Wed, 28 Dec 2022 05:46:03 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1442-th Samsung PM981 เป็นผลิตภัณฑ์ OEM ที่ได้มาจากซัมซุง 970 EVO.

ไดรฟ์นี้มี V-NAND 64 เลเยอร์ใหม่ของ Samsung และตัวควบคุมประสิทธิภาพสูงที่ส่งมอบได้สูงสุดถึง 3,000 MB/s ของทรูพุตการอ่านตามลำดับและ 270,000 random read IOPS.

ตัวควบคุมหน่วยความจำ Samsung Polaris V2 ถูกใช้ในเวอร์ชันแรกๆ, but ARM Phoenix memory controller was used in the later version.

It was popular for a while because of its good value for money.

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
ส่วนจำนวน MZVLB256HAHQ-00000
รุ่น MZ-VLB2560
ปีที่ประกาศขาย 2017
ผู้ผลิต ซัมซุง
ประเทศผู้ผลิต ประเทศจีน
• VCCMการจำแนกประเภทผลิตภัณฑ์ SSD ภายใน (โซลิดสเตตไดรฟ์)
ฟอร์มแฟกเตอร์ ม.2 (2280)
อินเตอร์เฟซ PCIe 3.0 (x4) (32GT / s)
อินเทอร์เฟซตัวควบคุมโฮสต์ NVMe 1.2
ความหายนะ 256GB
ไบต์ต่อเซกเตอร์ 512ไบต์
ประเภทหน่วยความจำ หน่วยความจำแฟลช NAND, ทีแอลซี
โครงสร้าง NAND ซัมซุง V-NAND V4
(TLC 3D NAND, 64-ชั้น)
DRAM ○
การแคช SLC ○
ประสิทธิภาพ – อ่านตามลำดับ : 3000MB / s
– การเขียนตามลำดับ : 1800MB / s
– IOPS สำหรับการอ่าน : แม็กซ์. 270เค
– IOPS สำหรับการเขียน : แม็กซ์. 420เค
ตัวควบคุมหน่วยความจำ อาร์ม ฟีนิกซ์ (S4LR020 S821HNQD 1842 อาร์ม ฟีนิกซ์)
ชุดระบายความร้อน NVMe ไม่รวม
อูเบอร์ < 1 sector per 10 15 บิตอ่าน
MTBF 1.5 ล้านชั่วโมง
อุณหภูมิ ปฏิบัติการ : 0°C ~ 70°ค
ไม่ได้ใช้งาน : -40° C ~ 85 ° C
ความชื้น
(ไม่กลั่นตัว)
 ไม่ได้ใช้งาน : 5 ~ 95%
ช็อตเชิงเส้น
 ไม่ได้ใช้งาน (0.5ms ระยะเวลาด้วย 1/2 คลื่นไซน์) : 1,500 จีพีค
การสั่นสะเทือน ไม่ได้ใช้งาน (20 ~ 2,000 Hz, ไซนูซอยด์) : 20 จีพีค
แรงดันไฟฟ้ากระเพื่อม/เสียงรบกวน
(สูงสุด)		 100เอ็มวี พี-พี
การใช้พลังงาน – อ่าน (ประเภท, RMS) : 5.9W
– เขียน (ประเภท, RMS) : 5.7W
– ว่าง (ประเภท) : 30เมกะวัตต์
– L1.2 (ประเภท) : 5เมกะวัตต์
ความกว้าง 22.00 ± 0.15 มิลลิเมตร
ความยาว 80.00 ± 0.15 มิลลิเมตร
ความสูง แม็กซ์. 2.38 มิลลิเมตร
น้ำหนัก แม็กซ์. 9.0ก.

Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD (S4LR020 S821HNQD 1842 ARM Phoenix Controller)
Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD

]]> https://www.devicelog.com/storage/ssd/m-2/nvme/samsung-256gb-pm981-m2-pcie-nvme-phoenix/feed/ 0 ซัมซุง 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/th/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/th/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-th Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • ชื่อผลิตภัณฑ์ : ซัมซุง 16MB SDRAM 16MB PC66
  • ส่วนจำนวน : KMM366S203CTL-G0
  • ผู้ผลิต : บริษัท ซัมซุง อิเล็คทรอนิคส์, จำกัด. (วินาที)
  • ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้
  • ปีรูปร่าง / สัปดาห์ : 1998/09
  • ความจุข้อมูล : 16MB
  • ความเร็วสัญญาณนาฬิกา : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66)
  • คุณสมบัติ : 168 หมุด, DIMM SDRAM ที่ไม่ใช่ ECC แบบไม่บัฟเฟอร์
  • องค์ประกอบชิปข้อมูล : [KM48S2020CT-G10] × 8 เงิน
    (2M × 64 บิต)
  • ข้อมูลชิปเดียว
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM หรือ UQL004DD)
    • ประเภทไอซีหน่วยความจำ : DRAM แบบซิงโครนัส
    • ความจุ : 2เอ็ม x 8 บิต
    • เข้าถึงเวลา-สูงสุด : 7 NS
    • ความยาวระเบิดแบบแทรกสลับ: 1, 2, 4, 8
    • ความถี่นาฬิกา-สูงสุด (เอฟซีแอลเค) : 100 เมกะเฮิรตซ์
    • 44 หมุด
    • ปีรูปร่าง / สัปดาห์ : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • ฯลฯ : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 Macronix MX86200 (SiS 6202) https://www.devicelog.com/th/output/vga/pci/macronix-mx86200-sis-6202/ https://www.devicelog.com/th/output/vga/pci/macronix-mx86200-sis-6202/#respond Fri, 19 Mar 2021 15:13:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1299-th Macronix MX86200 - SiS 6202

 

พิมพ์ อะแดปเตอร์กราฟิกวิดีโอ (VGA)
ชื่อผลิตภัณฑ์ MX86200
ผู้ผลิตชิปเซ็ต SiS
ชิปเซ็ต/รุ่น GPU SiS 6202
ชิปเซ็ตปี/สัปดาห์ 1997 / 13
ผู้จัดจำหน่าย Macronix
ประเทศผู้ผลิต ไต้หวัน
ผู้ผลิต RAM วิดีโอ บริษัท ซัมซุง อิเล็คทรอนิคส์, Ltd.
องค์ประกอบ RAM วิดีโอ (KM416V256BLJ-7) × 2
มีอยู่
องค์ประกอบ RAM วิดีโอ		 1,2, หรือ 4 MBytes แสดงหน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซสล็อต PCI
ความละเอียดที่สนับสนุน 1600×1200, 64เค คัลเลอร์ @ 60 Hz
1280×1024, 64เค คัลเลอร์ @ 75 Hz
1024×768, 16เอ็ม คัลเลอร์ @ 60 Hz
คุณสมบัติชิป GPU • สถาปัตยกรรมประสิทธิภาพสูง
• True 64-bit graphics engine.
• จริง 8/16/32 bpp acceleration.
• BitBLT, สี่เหลี่ยมผืนผ้า, เติมลวดลาย, วาดเส้น, การขยายสีและสมบูรณ์ 256 ROP
• หน่วยความจำรูปแบบบนชิป
• FIFO ขั้นสูงหลายรายการ
• I/O ที่แมปหน่วยความจำ
• เคอร์เซอร์ฮาร์ดแวร์ที่แมปบิต 64x64x2 การเล่นวิดีโอคุณภาพสูง
• รองรับไดรเวอร์ DCI พื้นผิวหลักเพื่อการเล่นวิดีโอที่ราบรื่นและมีคุณภาพสูง
• รองรับ Microsoft Video สำหรับ Windows• การควบคุมหน่วยความจำขั้นสูง
• การเข้าถึงหน่วยความจำแสดงผลแบบ True 64 บิต
• 256K x 4, 256เค x 8, และ 256K x 16 CAS แบบคู่หรือ DRAM แบบ dualWE
• Fast-page และ Hyper-page EDO
• ตรวจจับขนาดหน่วยความจำอัตโนมัติ
• โหมดการกำหนดแอดเดรสเชิงเส้นสูงถึง 4 MByte

• อินเตอร์เฟสบัส PCI แบบไม่มีกาว
• PCI . แบบเต็ม 2.1 การปฏิบัติตาม
• RA MDAC . แบบบูรณาการ
• โปรแกรมแบบบูรณาการ 135 สังเคราะห์นาฬิกา MHz
• CMOS ซับไมครอนพลังงานต่ำ
• 208 ปักหมุด PQFP

• รองรับ Plug and Play
• ช่องข้อมูลการแสดงผล VESA (DDC2B) โปรโตคอลสนับสนุน
• รองรับตัวเชื่อมต่อคุณสมบัติมาตรฐาน VESA
• DPMS และการสนับสนุนการจัดการพลังงานขั้นสูง
ตัวเชื่อมต่อวิดีโอ ดี-ซับ
(15-พินขั้วต่อ VGA)

 

]]> https://www.devicelog.com/output/vga/pci/macronix-mx86200-sis-6202/feed/ 0 ซัมซุง 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-th SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
ส่วนจำนวน M378A2K43CB1-CTD
(C-)
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศผู้ผลิต ประเทศจีน
สร้างปี / สัปดาห์ 2019 / 06
ประเภท DIMM Udinn
ความจุข้อมูล 16GB
อัตราข้อมูล
(แม็กซ์แบนด์วิดธ์)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Timing หน่วยความจำ
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
คุณสมบัติ 288หมุด, DDR4 Unbuffered ECC SDRAM DIMM
บิตข้อมูล x64
ภายในโมดูลธนาคาร 16 ธนาคาร (4 กลุ่มธนาคาร)
อันดับ 2 (อันดับที่สอง)
องค์ประกอบตัวแทน (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
บรรจุภัณฑ์ 78FBGA ด้วยตะกั่ว & ปราศจากฮาโลเจน
(ผ่าน RoHS)
ความสูง 31.25 มิลลิเมตร
VDD แรงดันไฟฟ้า 1.2 V ± 0.06 V
ช่วงการดำเนินงานกรณีอุณหภูมิ เฉลี่ยระยะเวลารีเฟรช 7.8us ที่ต่ำแล้ว Tกรณี 85℃,
3.9เราที่ 85 ℃ < Tกรณี ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 ซัมซุง 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-th SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

ชื่อผลิตภัณฑ์ ซัมซุง DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
ส่วนจำนวน M378A1K43CB2-CTD
(C-)
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศผู้ผลิต ประเทศจีน
สร้างปี / สัปดาห์ 2018 / 28
ประเภท DIMM Udinn
ความจุข้อมูล 8GB
อัตราข้อมูล
(แม็กซ์แบนด์วิดธ์)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Timing หน่วยความจำ
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
คุณสมบัติ 288หมุด, DDR4 Unbuffered ECC SDRAM DIMM
บิตข้อมูล x64
ภายในโมดูลธนาคาร 16 ธนาคาร (4 กลุ่มธนาคาร)
อันดับ 1 (อันดับเดี่ยว)
องค์ประกอบตัวแทน (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
บรรจุภัณฑ์ 78FBGA ด้วยตะกั่ว & ปราศจากฮาโลเจน
(ผ่าน RoHS)
ความสูง 30มิลลิเมตร
VDD แรงดันไฟฟ้า 1.2V ± 0.06V
ช่วงการดำเนินงานกรณีอุณหภูมิ เฉลี่ยระยะเวลารีเฟรช 7.8us ที่ต่ำแล้ว Tกรณี 85℃,
3.9เราที่ 85 ℃ < Tกรณี ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 ซัมซุง 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-th Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400
ส่วนจำนวน M378T5663QZ3-CF7
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศผู้ผลิต ประเทศจีน
สร้างปี / สัปดาห์ 2009/04, 2010/07
ประเภทโมดูลหน่วยความจำ DIMM
ความจุข้อมูล 2GB
ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 800เมกะเฮิรตซ์ (PC2-6400)
Timing หน่วยความจำ CL = 6, tRCD = 6, TRP = 6
คุณสมบัติ 240หมุด, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM
บิตข้อมูล x64
ภายในโมดูลธนาคาร 8
อันดับ 2
องค์ประกอบของข้อมูลชิป
(ความลึก×องค์กร Bit ×ชิ้น)		 128M × 8 × 16 ชิ้น
(K4T1G084QQ × 16 ชิ้น)
บรรจุภัณฑ์ 60FBGA พร้อมสารตะกั่วและปราศจากฮาโลเจน
(ผ่าน RoHS)
ความสูง 30มิลลิเมตร
VDD แรงดันไฟฟ้า 1.8V ± 0.1V
ช่วงการดำเนินงานกรณีอุณหภูมิ 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsaung Galaxy S (SHW-M110S) https://www.devicelog.com/th/mobile/smart-phone/samsaung-galaxy-s-shw-m110s/ https://www.devicelog.com/th/mobile/smart-phone/samsaung-galaxy-s-shw-m110s/#comments Sun, 19 Jul 2015 09:24:59 +0000 https://www.devicelog.com/?p=995-th อุปกรณ์นี้เป็นสมาร์ทโฟน Galaxy S ซีรีส์รุ่นที่ 1. Galaxy S (SHW-M110S) เป็นโทรศัพท์พิเศษสำหรับสมาชิก SK Telecom. แตกต่างจาก GT-I9000 ตรงที่มีจูนเนอร์ T-DMB. มีจำหน่ายภายใต้ “Anycall” branding.

Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture Samsung Galaxy S (SHW-M110S) Picture
สินค้า รุ่น ซัมซุง Galaxy S SHW-M110S
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศที่ผลิต เกาหลีใต้
วันที่วางจำหน่าย 2010/06
หน่วยงานขาย บริษัท SK telecom, Ltd.
ร่างกาย ขนาด 122.4มม. × 64.2 มม. × 9.9 มม
น้ำหนัก 121ก.
สี ดำ, สโนว์ไวท์
แบตเตอรี่ ประเภทแบตเตอรี่ ลิเธียมไอออน, ถอดออกได้
ความจุแบตเตอรี่ 1500มิลลิแอมป์ (3.7โวลต์)
แพลตฟอร์ม ระบบปฏิบัติการ Android 2.1 ~ 2.3.6
ซีพียู 1 แกนเดียว GHz (ARM Cortex A8)
GPU 200 MHz PowerVR SGX 540
หน่วยความจำ แรมของระบบ 512 MB
Stoage ภายใน 16 GB NAND แฟลช (14 มีผู้ใช้ GB)
จัดเก็บข้อมูลภายนอก ไมโคร SD / ไมโคร SDHC (จนถึง 32 รองรับ GB)
กล้อง กล้องหลัก 5 ล้านพิกเซล ( 2592 × 1944 พิกเซล)
แฟลช แฟลช LED
เซนเซอร์ 1/3.6″ นิ้ว
รูรับแสง F F / 2.6
กล้องหน้า กล้อง VGA (0.3ล้านพิกเซล, F2.8)
แสดง ประเภทแผงแสดงผล Super AMOLED พร้อม RBGB-Matrix (เพนไทล์)
ขนาดหน้าจอ 100 มิลลิเมตร (4.0 นิ้ว)
(~ 58.0% อัตราส่วนหน้าจอต่อร่างกาย)
ความละเอียด 800× 480 พิกเซล WVGA
ความหนาแน่นของพิกเซล 233 ppi
สี 16 ล้าน
กระจกกันรอยขีดข่วน Gorilla Glass
เครือข่าย ซิม มินิซิม
2G เครือข่าย 850, 900, 1800, 1900Mhz GSM / GPRS / EDGE
3G เครือข่าย 900, 2100Mhz UTMS / HSPA
เครือข่ายข้อมูล GSM, GPRS, ขอบ, UMTS, HSDPA, HSUPA, HSPA
เครือข่ายไร้สาย WIFI โดยตรง, จุดร้อน, DLNA, บลูทู ธ
อินเตอร์เฟซ ยูเอสบี ยูเอสบี 2.0 ไมโคร - บี (ไมโคร USB)
WiFi 802.11 b / g / n
เอาต์พุตเสียง 3.5แจ็คมม
บลูทู ธ 3.0 รุ่น, A2DP
วิทยุ วิทยุ FM สเตอริโอพร้อม RDS
จีพีเอส A-GPS
DMB T-DMB TV (เฉพาะเกาหลี)
]]> https://www.devicelog.com/mobile/smart-phone/samsaung-galaxy-s-shw-m110s/feed/ 2 Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) https://www.devicelog.com/th/mobile/smart-phone/samsung-galaxy-s4-lte-a-shv-e330s/ https://www.devicelog.com/th/mobile/smart-phone/samsung-galaxy-s4-lte-a-shv-e330s/#respond Sun, 07 Jun 2015 15:05:06 +0000 https://www.devicelog.com/?p=905-th Samsung Galaxy S4 SHV-E330S สำหรับ SK Telecom เปิดตัวในเดือนเมษายน 2013. มีให้เลือกสองสี, โทนสี Blue Arctic และ Red Aurora. SK Telecom(SKT) said that LTE Advanced S4 is capable of reaching network speed for up to 150Mbps in their infrastructure.

Galaxy S4 LTE-A ① Galaxy S4 LTE-A ② Galaxy S4 LTE-A ③ Galaxy S4 LTE-A ④
สินค้า รุ่น Galaxy S4 LTE-A (SHV-330S)
(Samsung Galaxy S4 4G LTE-A สำหรับเกาหลี)
(Galaxy S4 GT-i9506)
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศที่ผลิต เกาหลีใต้
วันที่ผลิต 2013/07/30
หน่วยงานขาย บริษัท SK telecom, Ltd.
ร่างกาย ขนาด 69.8มม. × 136.6 มม. × 7.9 มม
น้ำหนัก 131ก.
สี บลูอาร์กติก
แบตเตอรี่ ประเภทแบตเตอรี่ ลิเธียมไอออน, ถอดออกได้
ความจุแบตเตอรี่ 2,600มิลลิแอมป์
แพลตฟอร์ม ระบบปฏิบัติการ Android 4.2.2 (เจลลี่บีน)
Android 4.4.2 (คิทแคท)
Android 5.0 (อมยิ้ม)
ซีพียู Quad-core 32bit 2.3Ghz Krait 400
GPU Qualcomm Adreno 330
หน่วยความจำ แรมของระบบ 2GB LPDDR3
Stoage ภายใน 32GB
จัดเก็บข้อมูลภายนอก ไมโคร SD / ไมโคร SDHC / micro-SDXC(64สูงสุด GB)
กล้อง กล้องหลัก 13 ล้านพิกเซล (4128 x 3096 พิกเซล)
แฟลช แฟลช LED
เซนเซอร์ 1/3.06″ นิ้ว
รูรับแสง F F / 2.2
กล้องหน้า 2,1 ล้านพิกเซล (1920 × 1080 พิกเซล)
แสดง ประเภทแผงแสดงผล HD S-AMOLED
ขนาดหน้าจอ 12.7 ซม (5.0 นิ้ว)
ความละเอียด 1080 × 1920 พิกเซล
ความหนาแน่นของพิกเซล 441 ppi
สี 16 ล้าน
กระจกกันรอยขีดข่วน Gorilla Glass 3
เครือข่าย ซิม ไมโครซิม (3FF)
2G เครือข่าย GSM 900/1800/1900
3G เครือข่าย UMTS 1900/2100
4G เครือข่าย LTE 850/1800
เครือข่ายข้อมูล GPRS, ขอบ, UMTS, HSDPA, HSUPA, HSPA +, LTE, LTE-A
เครือข่ายไร้สาย WIFI โดยตรง, NFC, MHL, จุดร้อน, DLNA, บลูทู ธ
ความเร็วสูงสุด ลง: 150Mbps, ขึ้น: 50Mbps
อินเตอร์เฟซ ยูเอสบี ยูเอสบี 2.0 ไมโคร - บี (ไมโคร USB)
เอาต์พุตทีวี ยูเอสบี 2.0 ไมโคร - บี (ไมโคร USB)
เอาต์พุตเสียง 3.5แจ็คมม
บลูทู ธ 4.0 รุ่นที่มี A2DP
WiFi 802.11 a / b / g / n / ac
จีพีเอส A-GPS, GeoTagging และ GLONASS
DMB T-DMB TV (เฉพาะเกาหลี)
]]> https://www.devicelog.com/mobile/smart-phone/samsung-galaxy-s4-lte-a-shv-e330s/feed/ 0 ซัมซุง 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-th Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

ชื่อผลิตภัณฑ์ ซัมซุง 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศที่ผลิต ฟิลิปปินส์
ปีรูปร่าง / สัปดาห์ 2014/08
ความจุข้อมูล 8GB
ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1600เมกะเฮิรตซ์ (PC3-12800)
Timing หน่วยความจำ CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11
คุณสมบัติ 240หมุด, Unbuffered DIMM DDR3 ECC SDRAM
เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 20, 30, 40นาโนเมตร
บิตข้อมูล x64
ธนาคารโมดูลภายใน 8
อันดับ 2
องค์ประกอบชิปข้อมูล
(ความลึก×องค์กร Bit ×ชิ้น)		 512M × 8 × 16 ชิ้น
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 ชิ้น)
บรรจุภัณฑ์
78 FBGA ด้วยตะกั่ว & ปราศจากฮาโลเจน
(ผ่าน RoHS)
ความสูง 30มิลลิเมตร
แรงดัน VDD 1.5V ± 0.075V
ช่วงการดำเนินงานกรณีอุณหภูมิ 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4