288หมุด – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/th/ device, part, ข้อมูลจำเพาะ Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 th hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 ซัมซุง 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-th SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
ส่วนจำนวน M378A2K43CB1-CTD
(C-)
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศผู้ผลิต ประเทศจีน
สร้างปี / สัปดาห์ 2019 / 06
ประเภท DIMM Udinn
ความจุข้อมูล 16GB
อัตราข้อมูล
(แม็กซ์แบนด์วิดธ์)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Timing หน่วยความจำ
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
คุณสมบัติ 288หมุด, DDR4 Unbuffered ECC SDRAM DIMM
บิตข้อมูล x64
ภายในโมดูลธนาคาร 16 ธนาคาร (4 กลุ่มธนาคาร)
อันดับ 2 (อันดับที่สอง)
องค์ประกอบตัวแทน (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
บรรจุภัณฑ์ 78FBGA ด้วยตะกั่ว & ปราศจากฮาโลเจน
(ผ่าน RoHS)
ความสูง 31.25 มิลลิเมตร
VDD แรงดันไฟฟ้า 1.2 V ± 0.06 V
ช่วงการดำเนินงานกรณีอุณหภูมิ เฉลี่ยระยะเวลารีเฟรช 7.8us ที่ต่ำแล้ว Tกรณี 85℃,
3.9เราที่ 85 ℃ < Tกรณี ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 ซัมซุง 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/th/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-th SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

ชื่อผลิตภัณฑ์ ซัมซุง DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
ส่วนจำนวน M378A1K43CB2-CTD
(C-)
ผู้ผลิต ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์
ประเทศผู้ผลิต ประเทศจีน
สร้างปี / สัปดาห์ 2018 / 28
ประเภท DIMM Udinn
ความจุข้อมูล 8GB
อัตราข้อมูล
(แม็กซ์แบนด์วิดธ์)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Timing หน่วยความจำ
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
คุณสมบัติ 288หมุด, DDR4 Unbuffered ECC SDRAM DIMM
บิตข้อมูล x64
ภายในโมดูลธนาคาร 16 ธนาคาร (4 กลุ่มธนาคาร)
อันดับ 1 (อันดับเดี่ยว)
องค์ประกอบตัวแทน (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
บรรจุภัณฑ์ 78FBGA ด้วยตะกั่ว & ปราศจากฮาโลเจน
(ผ่าน RoHS)
ความสูง 30มิลลิเมตร
VDD แรงดันไฟฟ้า 1.2V ± 0.06V
ช่วงการดำเนินงานกรณีอุณหภูมิ เฉลี่ยระยะเวลารีเฟรช 7.8us ที่ต่ำแล้ว Tกรณี 85℃,
3.9เราที่ 85 ℃ < Tกรณี ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0