டிராம் – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ta/ device, part, விவரக்குறிப்பு Mon, 11 Jul 2022 17:33:11 +0000 ta hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 LG செமிகான் 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-ta LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • உற்பத்தியாளர் : எல்ஜி செமிகான் கோ., Ltd.
  • உற்பத்தி செய்யும் நாடு : தென் கொரியா
  • பகுதி எண் : ?
  • படிவம் காரணி : சிம்
  • அம்சங்கள் : 72முள், EDO டிராம், சமத்துவமற்றவர்
  • நினைவக திறன் : 16எம்பி
  • அலைவரிசை : 32பிட்
  • வேகம் : 60என். எஸ்(tRAC)
  • மின்னழுத்தம் : 5வி
  • சிப் கலவை : GM71C17400CJ6 × 8
  • சிப் பில்ட் ஆண்டு/வாரம் : 1998/27
  • ஒரு சிப் திறன் : 4எம் x 4 பிட்
  • முதலியன : அடோனிக்ஸ்®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK நினைவகம் 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ta EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

பொருளின் பெயர் EK நினைவகம் 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
பகுதி எண் EKM256S74BP8-E6
உற்பத்தியாளர் EK நினைவகம்
உற்பத்தி செய்யும் நாடு தைவான்
சிப் பில்ட் ஆண்டு/வாரம் 2008/27
நினைவக தொகுதி வகை DDR2 SO-DIMM 200 முள்
தரவு திறன் 2ஜிபி
கடிகார வேகம் 667Mhz (PC2-5300)
நினைவக நேரம் CL=5, tRCD=5, டிஆர்பி=5
அம்சங்கள் 200முள்
தடையற்றது
அல்லாத ETC
நோட்புக்(மடிக்கணினி) நினைவு
தரவு பிட்கள் x64
டேட்டா சிப் தகவல் EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
தொகுப்பு FBGA (ஃபைன்-பிட்ச் BGA)
VDD மின்னழுத்தம் 1.8வி

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 சாம்சங் 8 ஜிபி பிசி 3-12800 டிடிஆர் 3 எஸ்.டி.ஆர்.ஏ.எம் டி.எம்.எம் (2ஆர் × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-ta Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

பொருளின் பெயர் Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
உற்பத்தியாளர் சாம்சங் எலக்ட்ரானிக்ஸ்
உற்பத்தி செய்யும் நாடு பிலிப்பைன்ஸ்
ஆண்டு/வாரம் கட்டவும் 2014/08
தரவு திறன் 8ஜிபி
கடிகார வேகம் 1600Mhz (PC3-12800)
நினைவக நேரம் CL=11, tRCD=11, tRP=11
அம்சங்கள் 240முள், அன்ஃபஃபர் அல்லாத ஈ.சி.சி டி.டி.ஆர் 3 எஸ்.டி.ஆர்.ஏ.எம் டி.எம்.எம்
உற்பத்தி செயல்முறை தொழில்நுட்பம் 20, 30, 40nm
தரவு பிட்கள் x64
உள் தொகுதி வங்கிகள் 8
தரவரிசைகள் 2
தரவு சிப் கலவை
(ஆழம் × பிட் அமைப்பு × பிசிக்கள்)		 512M×8 × 16 பிசிக்கள்
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 பிசிக்கள்)
தொகுப்பு
78 FBGA லீட்-ஃப்ரீ உடன் & ஆலசன் இல்லாதது
(RoHS இணக்கமானது)
உயரம் 30மிமீ
VDD மின்னழுத்தம் 1.5V ± 0.075V
இயக்க வழக்கு வெப்பநிலை வரம்பு 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 சாம்சங் 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ta M368L6423DTM 32M பிட் x ஆகும் 64 இரட்டை தரவு விகிதம்(டி.டி.ஆர்) ஐந்தாவது தலைமுறை 256Mb DDR SDRAM ஐ அடிப்படையாகக் கொண்ட SDRAM உயர் அடர்த்தி நினைவக தொகுதி. M368L6423DTM பதினாறு CMOS 32M x ஐக் கொண்டுள்ளது 8 66பின் TSOP-II இல் 4பேங்க்களின் இரட்டை தரவு வீத SDRAMகள் கொண்ட பிட்(400மில்) தொகுப்புகள் 184பின் கண்ணாடி-எபோக்சி அடி மூலக்கூறில் பொருத்தப்பட்டுள்ளன. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

பொருளின் பெயர் Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
உற்பத்தியாளர் சாம்சங் எலக்ட்ரானிக்ஸ்
உற்பத்தி செய்யும் நாடு கொரியா
ஆண்டு/வாரம் கட்டவும் 2003/12
தரவு திறன் 512எம்பி
கடிகார வேகம் 166Mhz (PC2700, DDR333)
நினைவக நேரம் CL=2.5
அம்சங்கள் 184முள், டிஐஎம், இடையகப்படுத்தப்படாத ECC அல்லாத DDR SDRAM
அளவு 133.35mm × 31.75mm
தரவு பிட்கள் 64பிட்
உள் தொகுதி வங்கிகள் 4
தரவு சிப் கலவை K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16chips)
தொகுப்பு TSOP-II
VDD மின்னழுத்தம் 2.5V ± 0.2V
இயக்க வழக்கு வெப்பநிலை வரம்பு 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 சாம்சங் 4 ஜிபி பிசி 3-10600 டிடிஆர் 3 எஸ்.டி.ஆர்.ஏ.எம் எஸ்ஓ-டிம்எம் https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-ta சாம்சங் எலக்ட்ரானிக்ஸ் ஜூலை மாதம் 30nm செயல்முறை தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி DDR3 SDRAM தொகுதிகளை வெளியிட்டது. 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

பொருளின் பெயர் Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
உற்பத்தியாளர் சாம்சங் எலக்ட்ரானிக்ஸ் (SEC)
உற்பத்தி செய்யும் நாடு சீனா
ஆண்டு/வாரம் கட்டவும் 2011/13
தரவு திறன் 4ஜிபி
கடிகார வேகம் 1333Mhz (பிசி 3-10600)
நினைவக நேரம் CL=9, tRCD=9, டிஆர்பி=9
அம்சங்கள் 204முள், சோடிம், ECC அல்லாத DDR3 SDRAM அன்பஃபர்
உற்பத்தி செயல்முறை தொழில்நுட்பம் 40nm
தரவு பிட்கள் x64
உள் தொகுதி வங்கிகள் 8
தரவரிசைகள் 2
தரவு சிப் கலவை 256எம் எக்ஸ் 8 * 16 பிசிக்கள்
கூறு திருத்தம் 2ஜிபி, சி-தி
தொகுப்பு 78 பந்து FBGA
உயரம் 30மிமீ
VDD மின்னழுத்தம் 1.5வி
இயக்க வழக்கு வெப்பநிலை வரம்பு 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 ஹூண்டாய் 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/#respond Fri, 15 Mar 2013 07:26:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=739-ta Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

  • உற்பத்தியாளர் : ஹூண்டாய் எலெக்ட்ரானிக்ஸ் இண்டஸ்ட்ரீஸ் கோ., Ltd.
  • ஆண்டு கட்டவும் : 1994
  • உற்பத்தி செய்யும் நாடு : தென் கொரியா
  • பகுதி எண் : HYM532100AM-70
  • படிவம் காரணி : சிம்
  • நினைவக வகை : EDO டிராம்
  • நினைவக திறன் : 4எம்பி
  • பஸ் வகை : வேகமான பக்க நினைவகம் (FPM)
  • பிழை திருத்தம் : சமத்துவம் இல்லாதது
  • பின்கள் : 72முள்
  • அலைவரிசை : 32பிட்
  • தாமதம் : 70என். எஸ் (tRAC)
  • மின்னழுத்தம் : 5வி
  • சிப் கலவை : [HY514400A J-70] × 8
  • ஒரு சிப் திறன் : 1எம் x 4 பிட்
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/feed/ 0 EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-ta EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • பொருளின் பெயர் : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • உற்பத்தியாளர் : EKmemory
  • உற்பத்தி செய்யும் நாடு : தென் கொரியா
  • தரவு திறன் : 2ஜிபி
  • கடிகார வேகம் : 1333Mhz (பிசி 3-10600)
  • அம்சங்கள் : 240முள், அன்ஃபஃபர் அல்லாத ஈ.சி.சி டி.டி.ஆர் 3 எஸ்.டி.ஆர்.ஏ.எம் டி.எம்.எம்
  • தரவு சிப் கலவை : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 சீவல்கள்
  • VDD மின்னழுத்தம் : 1.5வி
  • முகப்புப்பக்கம் : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = டிராம்&இல்லை = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 சாம்சங் 1MB டிராம் 30 பின் சிம் https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/#comments Fri, 18 May 2012 11:01:28 +0000 https://www.devicelog.com/?p=326-ta
Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 ஆனது இரண்டு KM44C1000AJ-7 சில்லுகள் மற்றும் ஒரு KM44C1000CJ-7 சிப் ஆகியவற்றை உருவாக்கியுள்ளது.. KMM591000BN-7 ஆனது இரண்டு KM44C1000BJ-7 சில்லுகள் மற்றும் ஒரு KM44C1000CJ-7 சில்லுகளுடன் உருவாக்கப்பட்டுள்ளது.. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics.

  • தயாரிப்பு நிறுவனம் : சாம்சங் எலக்ட்ரானிக்ஸ்
  • தயாரிக்கப்பட்ட ஆண்டு : 1992 / 1993
  • உற்பத்தி செய்யும் நாடு : தென் கொரியா
  • தொகுதி அம்சங்கள் : 30முள், சிம், பரிதி ரேம்
  • நினைவக திறன் : 1எம்பி
  • அலைவரிசை : 8பிட்
  • வேக அம்சம் : 70என். எஸ்(tRAC)
  • சிப் கலவை :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1 ஹூண்டாய் 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/#comments Thu, 04 Aug 2011 13:39:13 +0000 https://www.devicelog.com/?p=110-ta EDO DRAM ஆனது வேகமான தரவு I/O க்கு தற்காலிக நினைவக இடத்தைக் கொண்டுள்ளது. கணினி கேச் நினைவக ஆதரவைப் பெற முடியாதபோது இது பயனுள்ளதாக இருக்கும். ஆனால் கணினியில் கேச் மெமரி இருந்தால், the effect of EDO DRAM is little.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • உற்பத்தியாளர் : ஹூண்டாய் எலெக்ட்ரானிக்ஸ் இண்டஸ்ட்ரீஸ் கோ., Ltd.
  • ஆண்டு / வாரத்தை உருவாக்குங்கள் : 1997/32
  • உற்பத்தி செய்யும் நாடு : கொரியா (தென் கொரியா)
  • பகுதி எண் : HYM532414 BM-60
  • படிவம் காரணி : சிம்
  • அம்சங்கள் : 72முள், EDO டிராம், சமத்துவமற்றவர்
  • நினைவக திறன் : 16எம்பி
  • அலைவரிசை : 32பிட்
  • வேகம் : 60என். எஸ்(tRAC)
  • மின்னழுத்தம் : 5வி
  • சிப் கலவை : HY5117404B(ஜே-60) × 8
  • ஒரு சிப் திறன் : 4எம் x 4 பிட்
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/feed/ 1 ஹூண்டாய் 1MB டிராம் 30 பின் சிம் https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/ta/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-ta இந்த ரேம் ஹூண்டாய் எலெக்ட்ரானிக்ஸ் துறையால் தயாரிக்கப்பட்ட 30-பின் 1MB சிம் ஆகும்(இப்போது ஹைனிக்ஸ்). 30-முள் சிம்கள் உலகளவில் பயன்படுத்தப்பட்டன 80286 க்கு 80486. சில்லுகளின் எண்ணிக்கை ஒற்றைப்படை எண் என்றால், one of the chips perform parity check.

இந்த ரேம் இரண்டு HY514400A ஐ கொண்டுள்ளது(1எம் x 4 பிட்) மற்றும் ஒரு HY531000A(1எம் x 1 பிட்). ரேமின் நினைவக திறன் 1MB ஆகும். HY531000A என்பது தரவு சிப் ஆகும், and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • உற்பத்தியாளர் : ஹூண்டாய் எலெக்ட்ரானிக்ஸ் இண்டஸ்ட்ரீஸ் கோ., Ltd.
  • தயாரிக்கப்பட்ட ஆண்டு : 1993
  • பொருளின் பண்புகள் : 30-முள், டிராம் சிம், பரிதி ரேம்
  • நினைவக திறன் : 1எம்பி
  • அலைவரிசை : 8பிட்
  • வேக அம்சம் : 70என். எஸ்(tRAC)
  • சிப் கலவை : HY514400A × 2 + HY531000A (4× 2 + 1 பிட்கள்)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1