Mtengenezaji : LG Semicon Co., Ltd. Nchi ya utengenezaji : Nambari ya sehemu ya Korea Kusini : ? Kipengele cha Fomu : Vipengele vya SIMM : 72pini, EDO DRAM, Uwezo wa kumbukumbu isiyo ya usawa : 16MB bandwidth : 32Kasi kidogo : 60ns(TRAC) Voltage : 5V muundo wa chip : GM71C17400CJ6 × 8 Chip kujenga mwaka/wiki : 1998/27 Uwezo mmoja wa chip : 4M […]

Mtengenezaji : Kampuni ya Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Kujenga mwaka : 1994 Nchi ya utengenezaji : Nambari ya sehemu ya Korea Kusini : HYM532100am-70 Fomu ya Fomu : Aina ya kumbukumbu ya SIMM : Uwezo wa kumbukumbu ya Edo : 4Aina ya basi ya MB : Kumbukumbu ya ukurasa wa haraka (FPM) Marekebisho ya makosa : Pini zisizo za usawa : 72Bandwidth ya pini : 32Latency kidogo : 70ns (TRAC) Voltage […]

Edo Dram ina nafasi ya kumbukumbu ya muda kwa data ya haraka I/O. Inafaa wakati mfumo hauwezi kupokea msaada wa kumbukumbu ya kashe. Lakini ikiwa mfumo una kumbukumbu ya kashe, Athari za Edo DRAM ni kidogo. Mtengenezaji : Kampuni ya Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Jenga Mwaka/Wiki : 1997/32 Nchi ya utengenezaji : Korea (Korea Kusini) Nambari ya Sehemu […]