Jina la bidhaa Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 Kumbukumbu ya 2GB (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Mtengenezaji Samsung Electronics Nchi ya utengenezaji Uchina Jenga mwaka/wiki 2010/38 Uwezo wa Data 2GB Kasi ya Saa 1333Mhz (PC3-10600) Vipengele vya 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM mchakato wa uzalishaji teknolojia 40nm Biti za data x64 Moduli ya ndani benki 8 Muundo wa chip ya data [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chips […]

Bodi nyingi, Iliyoungwa mkono mapema Pentium CPU, Kawaida alikuwa na chipsi za kumbukumbu za kashe kama CPU L2 cache. Moduli hii ya kusawazisha kashe(Pwani; Cache kwenye fimbo) ni moduli ya kumbukumbu ya nje inayotumika kama kashe ya ziada ya CPU L2. Inakuza ukamilifu wa processor wakati processor inasubiri maagizo au data. Cache ya L2 hutumiwa kwa kufanya kazi […]

Kumbukumbu ya A-DATA Viesta DDR600 Viesta, katika moduli za kumbukumbu za DDR SDRAM, kwanza ilipata kasi ya saa ya 600Mhz na chipsi za kumbukumbu za Samsung TCCD. Uwezo wa data wa A-data Viesta ulikuwa 512MB au 256MB. Ilitumika zaidi kwa ovcrcclocking.   Jina la Bidhaa A-DATA Vitesta DDR600 512MB Sehemu ya Nambari MDOSSLF3H47A0B1G0Z Mtengenezaji A-DATA Nchi ya utengenezaji Mwaka wa Kujengwa kwa Taiwan 2004 Ina 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 imeundwa KM44C1000AJ-7 chips na moja KM44C1000CJ-7 Chip. KMM591000BN-7 imeundwa na chips mbili za KM44C1000BJ-7 na chip moja ya KM44C1000CJ-7. Ni 1MB DRAM Simms zinazozalishwa na Samsung Electronics. Kampuni ya Viwanda : Samsung Electronics mwaka wa viwandani : 1992 / 1993 Nchi ya utengenezaji : Sifa za Moduli ya Korea Kusini : 30pini, SIMM, Uwezo wa kumbukumbu ya RAM […]

Jina la bidhaa : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Kipengele cha Fomu : DDR3 SO-DIMM Features : 204pini, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]