Mtengenezaji : Kampuni ya Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Kujenga mwaka : 1994 Nchi ya utengenezaji : Nambari ya sehemu ya Korea Kusini : HYM532100am-70 Fomu ya Fomu : Aina ya kumbukumbu ya SIMM : Uwezo wa kumbukumbu ya Edo : 4Aina ya basi ya MB : Kumbukumbu ya ukurasa wa haraka (FPM) Marekebisho ya makosa : Pini zisizo za usawa : 72Bandwidth ya pini : 32Latency kidogo : 70ns (TRAC) Voltage […]

Jina la bidhaa : Samsung SDRAM 32MB PC66 Part number : KMM366S403BTN-G0 Manufacturer : Samsung Electronics (SEC) Nchi ya utengenezaji : Korea Kusini Jenga mwaka/wiki : 1997/33 Uwezo wa Data : 32MB kasi ya saa : 66Mhz (PC66) Vipengele : 168pini, Utungaji wa chipu ya Data ya SDRAM DIMM ambayo haijaakibishwa : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chips VDD : 3.3V

Jina la bidhaa : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (Sehemu zisizo za jumla) Nambari ya sehemu : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC mtengenezaji : Samsung Electronics (SEC) Nchi ya utengenezaji : Korea Kusini Jenga mwaka/wiki : 2003/33 Uwezo wa Data : 512MB kasi ya saa : 400Mhz (PC3200) Vipengele : 184pini, UNBUFFERER isiyo ya ECC DDR SDRAM DIMM muundo wa chip : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Takwimu za Chips […]

Jina la bidhaa : EKMEMORY DDR3 SDRAM 2GB 2RX8 PC3-10600U-9-10-B0 Mtengenezaji : Ekmemory nchi ya utengenezaji : Uwezo wa data ya Korea Kusini : 2Kasi ya saa ya GB : 1333Mhz (PC3-10600) Vipengele : 240pini, UNBUFFER NON-ECC DDR3 SDRAM DIMM DATA CHIP muundo : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Chips VDD voltage : 1.5V ukurasa wa nyumbani : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&hapana = 91

Jina la Bidhaa Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Kumbukumbu (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Mtengenezaji Samsung Electronics (SEC) Nchi ya kutengeneza Korea Kusini kujenga mwaka/wiki 2011/31 Uwezo wa data 4GB kasi ya saa 1333MHz (PC3-10600) Wakati wa kumbukumbu Cl = 9, TRCD = 9, TRP = 9 Vipengee 240pin, UNBUFFER NON-ECC DDR3 SDRAM DIMM data bits x64 kina / Shirika kidogo 512m / x8 moduli ya ndani […]