https://www.devicelog.com/sv/ device, part, spec Wed, 06 Nov 2019 11:31:36 +0000 sv hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/sv/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/sv/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-sv M368L6423DTM är 32M bit x 64 Dubbel datahastighet(DDR) SDRAM minnesmodul med hög densitet baserad på femte generationen på 256 MB DDR SDRAM. M368L6423DTM består av sexton CMOS 32M x 8 bit med 4banks SDRAM för dubbel datahastighet i 66pin TSOP-II(400tusen) förpackningar monterade på ett 184pins glas-epoxisubstrat. Fyra 0,1uF frånkopplingskondensatorer är monterade på det tryckta kretskortet parallellt för varje DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Produktnamn	Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM (PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Tillverkare	Samsung Electronics
Tillverkningsland	korea
Build år / vecka	2003/12
Data Kapacitet	512MB
Klockfrekvens	166Mhz (PC2700, DDR333)
Memory Timing	CL=2,5
Funktioner	184stift, DIMM, Icke-ECC DDR SDRAM unbuffer
Storlek	133.35mm × 31,75 mm
databitar	64bit
Intern Modul banker	4
Datachip komposition	K4H560838D-TCB3 × 16 (32M × 8 bitar × 16 chips)
Paket	TSOP-II
VDD spänning	2.5±0,2V
Drift Case Temperatur	0° C ~ 85 ° C

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 https://www.devicelog.com/sv/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/sv/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-sv

• Produktnamn : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (icke-äkta delar)
• Artikelnummer : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
• Tillverkare : Samsung Electronics (SEC)
• Tillverkningsland : Sydkorea
• Build år / vecka : 2003/33
• Data Kapacitet : 512MB
• Klockfrekvens : 400Mhz (PC3200)
• Funktioner : 184stift, Obuffert icke-ECC DDR SDRAM DIMM
• Datachip komposition : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 pommes frites
• Databanker : 4 banker
• Uppdateringsintervall : 7.8μs (8K / 64ms uppdatering)
• Läs latancy : 3 klocka (CL3)
• Burstlängd : 2, 4, 8
• Burst-typ : sekventiell & interfoliera
• Maximal uppdateringscykel för burst : 8
• VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 https://www.devicelog.com/sv/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/ https://www.devicelog.com/sv/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/#respond Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=455-sv A-DATA Vitesta DDR600 Viesta-minne, i DDR SDRAM-minnesmoduler, uppnådde först 600Mhz klockhastighet med Samsung TCCD-minneschips. Datakapaciteten för A-data Viesta var 512 MB eller 256 MB. It was mostly used for ovcrclocking.

 

• produktnamn
  • A-DATA Vitesta DDR600 512MB
• artikelnummer
  • MDOSSLF3H47A0B1G0Z
• Tillverkare
  • A-DATA
• Tillverkningsland
  • Taiwan
• build Year
  • 2004
• Funktioner
  • 184stift
  • Icke-ECC DDR SDRAM unbuffer
• Data Kapacitet
  • 512MB
• Klockfrekvens
  • 600Mhz (PC4800)
• Spänning
  • 2.8±0,1V
• chip Sammansättning
  • Samsung TCCD 16 pommes frites
• PCB-höjd
  • 31.75mm, 6 skikten
• Drift Case Temperatur
  • 0~ 95 ℃
• Modulbank
  • 2 fysisk bank

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/feed/ 0