неистински – ДевицеЛог.цом https://www.devicelog.com/sr/ device, part, спец Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 sr hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Самсунг 512МБ ПЦ3200 ДДР СДРАМ СОДИММ (цл3, није оригиналан РАМ-) https://www.devicelog.com/sr/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/sr/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-sr Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Назив производа : Самсунг ДДР СДРАМ 512МБ ПЦ3200 (неоригиналних делова)
  • Произвођачки број : ПЦ3200У-30331-Б2 М368Л6423ЕТМ-ЦЦЦ
  • Произвођач : Компанија Самсунг Елецтроницс (СЕЦ)
  • Земља производње : Јужна Кореја
  • Година изградње / недеља : 2003/33
  • подаци Капацитет : 512мб
  • Такт : 400мхз (ПЦ3200)
  • Карактеристике : 184игла, Небаферовани Нон-ЕЦЦ ДДР СДРАМ ДИММ
  • чип састав подаци : [СЕЦ К4Х560838Е-ТЦЦЦ] ✕ 8 чипс
  • Банке података : 4 банке
  • Интервал освежавања : 7.8μс (8К/64мс освежавање)
  • Читање кашњења : 3 сат (цл3)
  • Дужина праска : 2, 4, 8
  • Бурст типе : секвенцијално & интерлеаве
  • Максималан циклус освежавања рафала : 8
  • ВДД, ВДДК : 2.6В ± 0,1В
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3