Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Përbërja e çipave të të dhënave [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 patate të skuqura […]

Emri i produktit : Numri i pjesës ELPIDA 2 GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Prodhuesi : ELPIDA Vendi i prodhimit : Viti/javë e ndërtimit në Tajvan : 2010/38 Faktor formë : Karakteristikat e DDR3 SO-DIMM : 204gjilpere, Kapaciteti i memories jo-ECC : 2Norma maksimale e të dhënave GB : 1333Tension Mbps : 1.5V Organizimi : 256M fjalë × 64 copa, 2 rendit Përbërja Chip : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ka hapësirë ​​të përkohshme memorie për hyrje/dalje më të shpejtë të të dhënave. Është efektiv kur sistemi nuk mund të marrë mbështetje për memorien e memories. Por nëse sistemi ka memorie cache, efekti i EDO DRAM është i vogël. prodhues : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ndërtoni vit / javë : 1997/32 Vendi i prodhimit : Korea (Korea e jugut) Numri i pjesës […]

Kjo SIMM e veshur me ngjyrë të artë. Ngjyra e veshjes dhe forma e tabelës së kësaj SIMM është e ndryshme nga SIMM me GM71C4400A. GM71C4400B është 1M 4bit. Dhe GM71C1000B është 1M × 4bit. Kapaciteti i kujtesës dhe funksioni i këtij SIMM nuk ndryshon nga SIMM me GM71C4400A dhe GM71C1000. Prodhimtaria […]

Goldstar është marka tregtare e Goldstar Electron Co., Ltd. Ai ndryshoi emrin e saj në LG Semiconductor (LG Semicon) në 1995, dhe ajo u bashkua në industrinë e Hyundai Electronics (Hynix tani) në 1999. Kompania Prodhuese : Goldstar Electron Viti i prodhimit: 1993 Vendi i prodhimit : Karakteristikat e modulit të Koresë së Jugut : 30gjilpere, DRAM, SIMM, RAM barazie […]