prodhues : LG Semicon Co., Ltd. Vendi i prodhimit : Numri i pjesës së Koresë së Jugut : ? Faktor formë : Karakteristikat e SIMM : 72gjilpere, DRAM EDO, Kapaciteti i memories pa barazi : 16Bandwidth MB : 32Shpejtësia e bitit : 60ns(tRAC) Tensioni : 5Përbërja e çipit V : GM71C17400CJ6 × 8 Viti/javë e krijimit të çipit : 1998/27 Kapaciteti i një çipi : 4M […]

prodhues : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Viti i ndërtimit : 1994 Vendi i prodhimit : Numri i pjesës së Koresë së Jugut : HYM532100AM-70 Forma Factor : Lloji i memories SIMM : Kapaciteti i memories EDO DRAM : 4Lloji i autobusit MB : Kujtesa e shpejtë e faqeve (FPM) Korrigjimi i gabimit : Kunjat pa barazi : 72Gjerësia e brezit të pinit : 32Vonesa e bitit : 70ns (tRAC) Tensioni […]

EDO DRAM ka hapësirë ​​të përkohshme memorie për hyrje/dalje më të shpejtë të të dhënave. Është efektiv kur sistemi nuk mund të marrë mbështetje për memorien e memories. Por nëse sistemi ka memorie cache, efekti i EDO DRAM është i vogël. prodhues : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ndërtoni vit / javë : 1997/32 Vendi i prodhimit : Korea (Korea e jugut) Numri i pjesës […]