Ime izdelka Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB pomnilnika (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-ch9 M378B5263DH1) Proizvajalec Samsung Electronics Država izdelave Kitajske Postava leto / teden 2010/38 Podatki Kapaciteta 2 GB takt 1333MHz (PC3-10600) Lastnosti 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Proizvodni proces tehnologija 40nm Data bits x64 Notranji Modul bank 8 Podatki sestava čip [SID HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 čipi […]

Pomnilnik A-DATA Viesta DDR600 Viesta, v pomnilniških modulih DDR SDRAM, prvič dosegel takt 600 Mhz s pomnilniškimi čipi Samsung TCCD. Podatkovna zmogljivost A-data Viesta je bila 512 MB ali 256 MB. Večinoma se je uporabljal za ovcrclocking.   Ime izdelka A-DATA Vitesta DDR600 512MB Številka dela MDOSSLF3H47A0B1G0Z Proizvajalec A-DATA Država proizvodnje Tajvan Leto izdelave 2004 Vsebuje 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 je sestavljen iz dveh čipov KM44C1000AJ-7 in enega čipa KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 je sestavljen iz dveh čipov KM44C1000BJ-7 in enega čipa KM44C1000CJ-7. Gre za 1MB DRAM SIMM, ki ga proizvaja Samsung Electronics. Proizvodno podjetje : Leto izdelave Samsung Electronics : 1992 / 1993 Država izdelave : Lastnosti modula Južne Koreje : 30pin, SIMM, Paritetna zmogljivost pomnilnika RAM […]

ime izdelka : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M besede × 64 bitov, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ima začasni pomnilniški prostor za hitrejši V/I podatkov. Učinkovit je, ko sistem ne more prejeti podpore za predpomnilnik. Če pa ima sistem predpomnilnik, učinek EDO DRAM je majhen. Proizvajalec : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Leto / teden : 1997/32 Država izdelave : Koreja (Južna Koreja) številka dela […]