jednotná hodnosť – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/sk/ device, part, špec Wed, 06 Nov 2019 09:43:31 +0000 sk hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 8 GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/sk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/sk/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-sk SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Meno Produktu Samsung DDR4 SDRAM 8 GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Číslo dielu M378A1K43CB2-CTD
(C-the)
Výrobca Samsung Electronics
Krajina výroby Čína
Rok výroby / týždeň 2018 / 28
typu DIMM Udinn
data Capacity 8GB
Rýchlosť prenosu dát
(Max Bandwidth)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
pamäť časovanie
(CL – tRCD – TRP – trás – TRC)		 19-19-19-43-61
Vlastnosti 288kolík, DDR4 SDRAM unbuffered ECC SDRAM DIMM
dátové bity x64
Vnútorné modul Banks 16 Banks (4 bankovej skupiny)
hodnosti 1 (Single Rank)
komponenta Zloženie (1G x 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
balíček 78FBGA s bezolovnaté & Bez halogénov
(RoHS)
výška 30mm
VDD napätia 1.2V ± 0.06V
Prevádzkový Case Teplotný rozsah Priemerná doba Aktualizovať 7.8us na nižšie ako TCASE 85℃,
3.9nami na 85 ℃ < TCASE ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0