Samsung 2 GB. DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (1RX8, Čína)

pridané DeviceLog.com | Publikované v DDR3 SDRAM | zverejnené na 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Názov produktu Pamäť Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB (1Rx8 PC3-10600-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Výrobca Samsung Electronics Krajina výroby Čína Rok výroby / týždeň 2010/38 Dátová kapacita 2 GB Rýchlosť hodín 1333 MHz (PC3-10600) Obsahuje 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Technológia výrobného procesu 40nm Dátové bity x64 banky interných modulov 8 čip Údaje o zložení [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 lupienky […]

Pokračovať v čítaní

A-DATA Vitesta 512 MB DDR600 DIMM (PC4800)

pridané DeviceLog.com | Publikované v DDR SDRAM | zverejnené na 2012-10-25

0

Pamäť A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, v pamäťových moduloch DDR SDRAM, po prvé dosiahol frekvenciu 600 MHz s pamäťovými čipmi Samsung TCCD. Dátová kapacita A-data Viesta bola 512 MB alebo 256 MB. Väčšinou sa používal na ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

Pokračovať v čítaní

Samsung 1 MB DRAM 30pin SIMM

pridané DeviceLog.com | Publikované v pôvodnej DRAM | zverejnené na 2012-05-18

1

Samsung 1 MB DRAM SIMM backside (Khann59l000an-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 sa skladá z dvoch čipov KM44C1000AJ-7 a jedného čipu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 sa skladá z dvoch čipov KM44C1000BJ-7 a jedného čipu KM44C1000CJ-7. Sú to 1 MB DRAM SIMM vyrobené spoločnosťou Samsung Electronics. Výrobná spoločnosť : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Krajina výroby : South Korea Module Features : 30kolík, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Pokračovať v čítaní

Elpida 2 GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

pridané DeviceLog.com | Publikované v DDR3 SDRAM | zverejnené na 2012-03-09

6

Elpida DDR3 2 GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

Meno Produktu : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Číslo dielu : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Výrobca : ELPIDA Krajina výroby : Rok zostavenia Taiwanu / týždeň : 2010/38 Form Factor : Funkcie DDR3 SO-DIMM : 204kolík, Kapacita pamäte mimo ECC : 2Maximálna rýchlosť prenosu v GB : 1333Napätie Mbps : 1.5Organizácia V. : 256M slová × 64 bity, 2 radí Chip zloženie : J1108BFBG-DJ-F […]

Pokračovať v čítaní

Hyundai 16 MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

pridané DeviceLog.com | Publikované v EDO DRAM | zverejnené na 2011-08-04

1

Hyundai 72pin 16 MB DRAM SIMM HY5117404B (Predná strana)

EDO DRAM má dočasnú pamäť pre rýchlejší dát I / O. Je účinný, keď systém nemôže prijímať vyrovnávacej pamäte podporu. Ale v prípade, že systém má vyrovnávacej pamäte, účinok EDO DRAM je málo. Výrobca : Hyundai Electronics Industries Co., ltd. Rok výroby / týždeň : 1997/32 Krajina výroby : Kórea (Južná Kórea) Číslo dielu […]

Pokračovať v čítaní