4GB – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/si/ device, part, පිරිවිතර Sat, 04 Jun 2016 15:07:22 +0000 si hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/si/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/si/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-si Samsung Electronics විසින් DDR3 SDRAM මොඩියුල 30nm ක්‍රියාවලි තාක්ෂණය භාවිතයෙන් ජූලි මාසයේදී නිකුත් කරන ලදී. 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

නිෂ්පාදන නාමය Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
නිෂ්පාදක Samsung ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් (SEC)
නිෂ්පාදිත රට චීනය
වසර/සතිය ගොඩනැගීම 2011/13
දත්ත ධාරිතාව 4GB
ඔරලෝසු වේගය 1333Mhz (PC3-10600)
මතක කාලය CL=9, tRCD=9, tRP=9
විශේෂාංග 204පින්, සෝඩිම්, ECC නොවන DDR3 SDRAM බෆරය ඉවත් කරන්න
නිෂ්පාදන ක්රියාවලිය තාක්ෂණය 40nm
දත්ත බිටු x64
අභ්යන්තර මොඩියුල බැංකු 8
නිලයන් 2
දත්ත චිප සංයුතිය 256එම් x 8 * 16 pcs
සංරචක සංශෝධනය 2Gb, සී-ද
පැකේජය 78 පන්දුව FBGA
උස 30මි.මී
VDD වෝල්ටීයතාවය 1.5වී
මෙහෙයුම් අවස්ථා උෂ්ණත්ව පරාසය 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, කොරියාව) https://www.devicelog.com/si/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/si/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-si Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

නිෂ්පාදන නාමය Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 මතකය
(2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
නිෂ්පාදක Samsung ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් (SEC)
නිෂ්පාදිත රට දකුණු කොරියාව
වසර/සතිය ගොඩනැගීම 2011/31
දත්ත ධාරිතාව 4GB
ඔරලෝසු වේගය 1333Mhz (PC3-10600)
මතක කාලය CL=9, tRCD=9, tRP=9
විශේෂාංග 240පින්, ECC නොවන DDR3 SDRAM DIMM ඉවත් කරන්න
දත්ත බිටු x64
ගැඹුර / බිට් සංවිධානය 512එම් / x8
අභ්යන්තර මොඩියුල බැංකු 8
නිලයන් 2
දත්ත චිප සංයුතිය [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 චිප්ස්
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 pcs)
සංරචක සංශෝධනය 4වන පරම්පරාව
පැකේජය FBGA (ඊයම් රහිත & හැලජන් රහිත)
උස 30මි.මී
VDD වෝල්ටීයතාවය 1.5වී
මෙහෙයුම් අවස්ථා උෂ්ණත්ව පරාසය 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0