Наименование товара : EKmemory DDR3 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Производитель : EKmemory Страна производства : Емкость Южной Кореи данных : 2Скорость GB Часы : 1333Mhz (PC3-10600) Особенности : 240штырь, Состав чипа Unbuffer без ECC DDR3 SDRAM DIMM данных : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 напряжение VDD микросхемы : 1.5V Главная : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = драмы&нет = 91

Название продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB памяти (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Производитель Samsung Electronics Страна производства Китай Год постройки / неделю 2010/38 Объем данных 2GB Часы скорость 1333Mhz (PC3-10600) Особенности 240pin, Технологический процесс Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM производства 40нм Биты данных банков Внутренний модуль 64 8 Состав данных чипа [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипсы […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta памяти, в модулях памяти DDR SDRAM, во-первых, достигается 600Mhz тактовая частота микросхемы памяти Samsung TCCD. Емкость данных А-данных Viesta было 512 или 256 Мб. Он в основном используется для ovcrclocking.   Наименование A-DATA Vitesta DDR600 512MB Номер детали MDOSSLF3H47A0B1G0Z Производитель A-DATA Страна производства Тайвань Год постройки 2004 Особенности 184pin Unbuffer […]

наименование товара : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Производитель : ELPIDA Страна производства : Тайвань Год постройки / Неделя : 2010/38 Фактор формы : DDR3 SO-DIMM Особенности : 204штырь, Емкость Non-ECC памяти : 2GB Максимальная скорость передачи данных : 1333Mbps Напряжение : 1.5V Организация : 256M × слова 64 биты, 2 занимает чип Состав : J1108BFBG-DJ-F […]