Samsung Electronics выпустила модули SDRAM DDR3 с использованием техпроцесса 30нм в июле 2010. Этот модуль RAM была сделана техпроцесс 40нм. Название продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Производитель Samsung Electronics (SEC) Страна производства Китай Год постройки / неделю 2011/13 Объем данных 4 Гб Часы скорость 1333Mhz (PC3-10600) Сроки памяти […]

производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Год постройки : 1994 Страна выпуска : Южная Корея Номер детали : HYM532100AM-70 Форм-фактор : Тип памяти SIMM : Емкость EDO DRAM памяти : 4МБ Тип автобуса : Fast Memory Page (FPM) Исправление ошибки : Без контроля четности Pins : 72контактный Пропускная способность : 32бит Задержка : 70нс (Trac) напряжение […]

Наименование товара : номер Samsung SDRAM 32MB PC66 Часть : KMM366S403BTN-G0 Производитель : Samsung Electronics (SEC) Страна выпуска : Южная Корея Год постройки / неделю : 1997/33 объем данных : 32Скорость MB часы : 66Mhz (PC66) Особенности : 168штырь, Небуферизованный состав чипа без ECC SDRAM DIMM данных : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 чипы VDD : 3.3V

Наименование товара : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неоригинальные детали) Номер части : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Производитель : Samsung Electronics (SEC) Страна выпуска : Южная Корея Год постройки / неделю : 2003/33 объем данных : 512Скорость MB часы : 400Mhz (PC3200) Особенности : 184штырь, Unbuffered состав чипа Non-ECC DDR SDRAM DIMM данных : [SEC K4H560838E-ККК] ✕ 8 чипы данных […]

Наименование товара : EKmemory DDR3 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Производитель : EKmemory Страна производства : Емкость Южной Кореи данных : 2Скорость GB Часы : 1333Mhz (PC3-10600) Особенности : 240штырь, Состав чипа Unbuffer без ECC DDR3 SDRAM DIMM данных : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 напряжение VDD микросхемы : 1.5V Главная : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = драмы&нет = 91