производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Год постройки : 1994 Страна выпуска : Южная Корея Номер детали : HYM532100AM-70 Форм-фактор : Тип памяти SIMM : Емкость EDO DRAM памяти : 4МБ Тип автобуса : Fast Memory Page (FPM) Исправление ошибки : Без контроля четности Pins : 72контактный Пропускная способность : 32бит Задержка : 70нс (Trac) напряжение […]

Наименование товара : EKmemory DDR3 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Производитель : EKmemory Страна производства : Емкость Южной Кореи данных : 2Скорость GB Часы : 1333Mhz (PC3-10600) Особенности : 240штырь, Состав чипа Unbuffer без ECC DDR3 SDRAM DIMM данных : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 напряжение VDD микросхемы : 1.5V Главная : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = драмы&нет = 91

KMM591000AN-7 состоит две KM44C1000AJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чип. KMM591000BN-7 состоит с двумя KM44C1000BJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чипа. Они 1MB DRAM модули SIMM, производимые компанией Samsung Electronics. Производственная компания : Samsung Electronics Произведенный год : 1992 / 1993 Страна выпуска : Модуль Южная Корея Особенности : 30штырь, SIMM, Четность Емкость Память RAM […]

EDO DRAM имеет временное пространство памяти для более быстрых данных ввода / вывода. Она эффективна, когда система не может получить кэш поддержки памяти. Но если система имеет кэш-память, эффект EDO DRAM мало. производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Год постройки / Неделя : 1997/32 Страна выпуска : Корея (Южная Корея) номер части […]

Это ОЗУ 30-контактный 1 Мб SIMM производства Hyundai Electronics промышленности(Hynix сейчас). 30-контактный SIMMs были повсеместно используются из 80286 в 80486. Если количество фишек нечетное число, один из чипов выполняют проверку четности. Эта память состоит из двух HY514400A(1М х 4bit) и один HY531000A(1М х 1bit). Объем памяти […]