динамическое ОЗУ – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ru/ device, part, спекуляция Mon, 11 Jul 2022 17:33:11 +0000 ru hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-ru LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • производитель : LG Семикон Ко., Ltd.
  • Страна выпуска : Южная Корея
  • номер части : ?
  • Фактор формы : SIMM
  • Особенности : 72штырь, EDO DRAM, Non-Parity
  • Объем памяти : 16мегабайт
  • Пропускная способность : 32немного
  • скорость : 60нс(Trac)
  • напряжение : 5V
  • Чип Состав : GM71C17400CJ6 × 8
  • Год сборки чипа / неделя : 1998/27
  • One Chip Емкость : 4М х 4bit
  • Так далее : Аддоникс®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK Память 2 ГБ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ru EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

наименование товара EK Память 2 ГБ DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
номер части EKM256S74BP8-E6
производитель EK Память
Страна выпуска Тайвань
Год сборки чипа / неделя 2008/27
Тип памяти модуля DDR2 SO-DIMM 200 штырь
объем данных 2гигабайт
Тактовая частота 667Mhz (PC2-5300)
Сроки памяти CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5
Особенности 200штырь
Unbuffered
Non-ECC
Блокнот(Ноутбук) Память
Биты данных x64
Информация о чипе данных EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
пакет FBGA (BGA с мелким шагом)
VDD Напряжение 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-ru Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Наименование товара Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-12800 8GB
(2rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
производитель Samsung Electronics
Страна выпуска фант
Год постройки / неделю 2014/08
объем данных 8гигабайт
Тактовая частота 1600Mhz (PC3-12800)
Сроки памяти CL = 11, Trcd = 11, Trp = 11
Особенности 240штырь, Unbuffered DDR3 ECC SDRAM DIMM
Технологический процесс производства 20, 30, 40нм
биты данных x64
банки Внутренний модуль 8
Звания 2
Состав данных чипа
(Глубина × Bit организации × шт)		 512М × 8 × 16 штук
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 штук)
пакет
78 FBGA с Lead-Free & Без галогена
(Соответствует RoHS)
Высота 30мм
напряжение VDD 1.5V ± 0.075V
Рабочая температура корпуса Диапазон 0° С ~ 95 ° С

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ru M368L6423DTM является 32M бит х 64 Технологии Double Data Rate(DDR) Модуль памяти SDRAM с высокой плотностью на основе пятого genernation 256 МБ DDR SDRAM соответственно. M368L6423DTM состоит из шестнадцати КМОП 32M х 8 бит с 4banks Double Data Rate SDRAMs в 66pin TSOP-II(400тысяча) Пакеты смонтированы на 184pin стеклянной подложке-эпокси. Четыре развязывающих конденсатора 0,1 мкФ установлены на печатной плате параллельно для каждой DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Наименование товара Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
производитель Samsung Electronics
Страна выпуска Корея
Год постройки / неделю 2003/12
объем данных 512мегабайт
Тактовая частота 166Mhz (PC2700, DDR333)
Сроки памяти CL = 2.5
Особенности 184штырь, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Размер 133.35мм × 31,75 мм
биты данных 64немного
банки Внутренний модуль 4
Состав данных чипа K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 бит × 16 чипов)
пакет TSOP-II
напряжение VDD 2.5V ± 0,2 В
Рабочая температура корпуса Диапазон 0° С ~ 85 ° С
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-ru Samsung Electronics выпустила модули SDRAM DDR3 с использованием техпроцесса 30нм в июле 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Наименование товара Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
производитель Samsung Electronics (SEC)
Страна выпуска Китай
Год постройки / неделю 2011/13
объем данных 4гигабайт
Тактовая частота 1333Mhz (PC3-10600)
Сроки памяти CL = 9, Trcd = 9, Trp = 9
Особенности 204штырь, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
Технологический процесс производства 40нм
биты данных x64
банки Внутренний модуль 8
Звания 2
Состав данных чипа 256Мх 8 * 16 штук
Компонент пересмотра 2гигабайт, С-
пакет 78 мяч FBGA
Высота 30мм
напряжение VDD 1.5V
Рабочая температура корпуса Диапазон 0° С ~ 85 ° С
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/#respond Fri, 15 Mar 2013 07:26:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=739-ru Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

  • производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Год постройки : 1994
  • Страна выпуска : Южная Корея
  • номер части : HYM532100AM-70
  • Фактор формы : SIMM
  • Тип памяти : EDO DRAM
  • Объем памяти : 4мегабайт
  • Тип автобуса : Fast Memory Page (FPM)
  • Исправление ошибки : Без контроля четности
  • Pins : 72штырь
  • Пропускная способность : 32немного
  • Задержка : 70нс (Trac)
  • напряжение : 5V
  • Чип Состав : [HY514400A J-70] × 8
  • One Chip Емкость : 1М х 4bit
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/feed/ 0 EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2rx8) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-ru EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • Наименование товара : EКмеморы DDR3 SDRAM 2ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • производитель : EKmemory
  • Страна выпуска : Южная Корея
  • объем данных : 2гигабайт
  • Тактовая частота : 1333Mhz (PC3-10600)
  • Особенности : 240штырь, Unbuffered DDR3 ECC SDRAM DIMM
  • Состав данных чипа : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чипсы
  • напряжение VDD : 1.5V
  • домашняя страница : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = драмы&нет = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/#comments Fri, 18 May 2012 11:01:28 +0000 https://www.devicelog.com/?p=326-ru
Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 состоит две KM44C1000AJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чип. KMM591000BN-7 состоит с двумя KM44C1000BJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чипа. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics.

  • Производственная компания : Samsung Electronics
  • Произведенный год : 1992 / 1993
  • Страна выпуска : Южная Корея
  • Модуль Особенности : 30штырь, SIMM, Четность RAM
  • Объем памяти : 1мегабайт
  • Пропускная способность : 8немного
  • Скорость Feature : 70нс(Trac)
  • Чип Состав :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1 Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/#comments Thu, 04 Aug 2011 13:39:13 +0000 https://www.devicelog.com/?p=110-ru EDO DRAM имеет временное пространство памяти для более быстрых данных ввода / вывода. Она эффективна, когда система не может получить кэш поддержки памяти. Но если система имеет кэш-память, the effect of EDO DRAM is little.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Год постройки / Неделя : 1997/32
  • Страна выпуска : Корея (Южная Корея)
  • номер части : HYM532414 БМ-60
  • Фактор формы : SIMM
  • Особенности : 72штырь, EDO DRAM, Non-Parity
  • Объем памяти : 16мегабайт
  • Пропускная способность : 32немного
  • скорость : 60нс(Trac)
  • напряжение : 5V
  • Чип Состав : HY5117404B(J-60) × 8
  • One Chip Емкость : 4М х 4bit
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/feed/ 1 Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-ru Это ОЗУ 30-контактный 1 Мб SIMM производства Hyundai Electronics промышленности(Hynix сейчас). 30-контактный SIMMs были повсеместно используются из 80286 в 80486. Если количество фишек нечетное число, one of the chips perform parity check.

Эта память состоит из двух HY514400A(1М х 4bit) и один HY531000A(1М х 1bit). Емкость памяти ОЗУ: 1 МБ. HY531000A является чипом данных,, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Произведенный год : 1993
  • Особенности продукта : 30-штырь, DRAM SIMM, Четность RAM
  • Объем памяти : 1мегабайт
  • Пропускная способность : 8немного
  • Скорость Feature : 70нс(Trac)
  • Чип Состав : HY514400A × 2 + HY531000A (4× 2 + 1 биты)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1