DDR – DeviceLog.com

HIS Radeon RX560 14CU ЗЕЛЕНЫЙ iCooler OC GDDR5 2GB

DeviceLog.com — Sun, 25 Dec 2022 05:15:29 +0000

наименование товара	HIS Radeon RX560 14CU ЗЕЛЕНЫЙ iCooler OC D5 2GB
Код продукта	HS-560J2SCNR
Код EAN	489 51390 12361
Дата выпуска	2016.8.8.
Производитель чипсета	AMD(У нас были)
Производитель плат	ООО "Хайтек Информаион Систем". (ЕГО)
Страна выпуска	Китай
Производитель памяти	Эльпида Память, Inc.
Набор микросхем / модель графического процессора	AMD Радеон РХ 560 Ряд AMD Radeon HD 560
Кодовое имя графического процессора	Баффин (Полярис 11)
Версия графического процессора	CF
Технология графического процессора	14нм
Размер кристалла графического процессора	123mm²
Субвендор графического процессора	АТИ АИБ
Часы графического процессора	База : 1145Mhz ОС : 1196Mhz Способствовать росту : 1176 МГц
Потоковые процессоры (Вычислительные единицы)	896 (14ТС)
Тип видеопамяти	GDDR5
Размер видеопамяти	2048мегабайт (2гигабайт)
Часы видеопамяти	1500Mhz
Шинный интерфейс	PCI Express 3.0 х 8
Ширина шины	128немного
Скорость шины	7.0Гбит/с (112ГБ / с)
Вычислительные технологии	OpenGL, DirectCompute, DirectML, Вулкан
Потребляемая мощность	Максимум. 46W
Рекомендуемый блок питания	400В+
Кулер	iCooler ( Два слота 0 дБ , 11 x Лопасти вентилятора)
Видеоразъемы	DVI × 1 HDMI × 1 DisplayPort(ДП) × 1
Максимальное разрешение (на дисплей)	ДП 1.4 : 5120 × 2880 при 60 Гц HDMI 2.0b : 4096 × 2160 при 60 Гц Двухканальный порт DVI-D : 2560 × 1600 при 60 Гц
Особенности	• Функция нулевого вентилятора • Ширина: 170мм • Высота: 35мм

EK Память 2 ГБ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

DeviceLog.com — Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000

наименование товара	EK Память 2 ГБ DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
номер части	EKM256S74BP8-E6
производитель	EK Память
Страна выпуска	Тайвань
Год сборки чипа / неделя	2008/27
Тип памяти модуля	DDR2 SO-DIMM 200 штырь
объем данных	2гигабайт
Тактовая частота	667Mhz (PC2-5300)
Сроки памяти	CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5
Особенности	200штырь Unbuffered Non-ECC Блокнот(Ноутбук) Память
Биты данных	x64
Информация о чипе данных	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
пакет	FBGA (BGA с мелким шагом)
VDD Напряжение	1.8V

Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)

DeviceLog.com — Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000

наименование товара	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
номер части	M378A2K43CB1-CTD (С-)
производитель	Samsung Electronics
Страна выпуска	Китай
Год постройки / Неделя	2019 / 06
Тип памяти DIMM	Udinn
объем данных	16гигабайт
Скорость передачи данных (Max Bandwidth)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
Сроки памяти (CL – Trcd – ГТО – trÃ¨s – TRC)	19-19-19-43-61
Особенности	288штырь, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Биты данных	x64
Внутренний модуль Банка	16 банки (4 Банковские группы)
Звания	2 (Dual Rank)
Компонентный состав	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
пакет	78FBGA с Lead-Free & Без галогена (Соответствует RoHS)
Высота	31.25 мм
VDD Напряжение	1.2 V ± 0.06 V
Рабочая температура корпуса Диапазон	Средний Период обновления 7.8us при более низком, то Т_КЕЙС 85℃, 3.9нам на 85 ℃ < T_КЕЙС ≤ 95 ℃

Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)

DeviceLog.com — Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000

наименование товара	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
номер части	M378A1K43CB2-CTD (С-)
производитель	Samsung Electronics
Страна выпуска	Китай
Год постройки / Неделя	2018 / 28
Тип памяти DIMM	Udinn
объем данных	8гигабайт
Скорость передачи данных (Max Bandwidth)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
Сроки памяти (CL – Trcd – ГТО – trÃ¨s – TRC)	19-19-19-43-61
Особенности	288штырь, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Биты данных	x64
Внутренний модуль Банка	16 банки (4 Банковские группы)
Звания	1 (Одно место)
Компонентный состав	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
пакет	78FBGA с Lead-Free & Без галогена (Соответствует RoHS)
Высота	30мм
VDD Напряжение	1.2В ± 0.06V
Рабочая температура корпуса Диапазон	Средний Период обновления 7.8us при более низком, то Т_КЕЙС 85℃, 3.9нам на 85 ℃ < T_КЕЙС ≤ 95 ℃

Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM PC2-6400 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7)

DeviceLog.com — Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000

наименование товара	Samsung DDR2 SDRAM 2 ГБ 2R × 8 PC2-6400
номер части	M378T5663QZ3-CF7
производитель	Samsung Electronics
Страна выпуска	Китай
Год постройки / Неделя	2009/04, 2010/07
Тип памяти модуля	DIMM
объем данных	2гигабайт
Тактовая частота	800Mhz (PC2-6400)
Сроки памяти	CL = 6, Trcd = 6, Trp = 6
Особенности	240штырь, Unbuffered ECC DDR2 SDRAM DIMM
Биты данных	x64
Внутренний модуль Банка	8
Звания	2
Чип данных Состав (Глубина × Bit организации × шт)	128M × 8 × 16шт (K4T1G084QQ × 16шт)
пакет	60FBGA с Lead-Free и без содержания галогенов (Соответствует RoHS)
Высота	30мм
VDD Напряжение	1.8V ± 0.1V
Рабочая температура корпуса Диапазон	0° С ~ 95 ° С

Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, неподлинным RAM)

DeviceLog.com — Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000

Наименование товара : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неоригинальные детали)
Номер части : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
производитель : Samsung Electronics (SEC)
Страна выпуска : Южная Корея
Год постройки / неделю : 2003/33
объем данных : 512мегабайт
Тактовая частота : 400Mhz (PC3200)
Особенности : 184штырь, Небуферизованная не-ECC DDR SDRAM DIMM
Состав данных чипа : [SEC K4H560838E-ККК] ✕ 8 чипсы
Банки данных : 4 банки
Интервал обновления : 7.8мкс (8Обновление K / 64ms)
Читать латанцию : 3 Часы (CL3)
Длина взрыва : 2, 4, 8
Тип взрыва : последовательный & перемежать
Максимальный цикл обновления пакета : 8
VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V

EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2rx8)

DeviceLog.com — Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000

Наименование товара : EКмеморы DDR3 SDRAM 2ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
производитель : EKmemory
Страна выпуска : Южная Корея
объем данных : 2гигабайт
Тактовая частота : 1333Mhz (PC3-10600)
Особенности : 240штырь, Unbuffered DDR3 ECC SDRAM DIMM
Состав данных чипа : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чипсы
напряжение VDD : 1.5V
домашняя страница : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = драмы&нет = 91

Samsung 4 Гб DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2rx8, Корея)

DeviceLog.com — Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000

Наименование товара	Samsung 4 Гб DDR3 SDRAM памяти PC3-10600 (2rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
производитель	Samsung Electronics (SEC)
Страна выпуска	Южная Корея
Год постройки / неделю	2011/31
объем данных	4гигабайт
Тактовая частота	1333Mhz (PC3-10600)
Сроки памяти	CL = 9, Trcd = 9, Trp = 9
Особенности	240штырь, Unbuffered DDR3 ECC SDRAM DIMM
биты данных	x64
глубина / организация Bit	512M / x8
банки Внутренний модуль	8
Звания	2
Состав данных чипа	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 чипсы (256Mbit ✕ 8 ✕ 16 штук)
Компонент пересмотра	4го поколения
пакет	FBGA (Без свинца & Без галогена)
Высота	30мм
напряжение VDD	1.5V
Рабочая температура корпуса Диапазон	0° С ~ 85 ° С

A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800)

DeviceLog.com — Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta памяти, в модулях памяти DDR SDRAM, во-первых, достигается 600Mhz тактовая частота микросхемы памяти Samsung TCCD. Емкость данных А-данных Viesta было 512 или 256 Мб. It was mostly used for ovcrclocking.

наименование товара
- A-DATA Vitesta DDR600 512 МБ
номер части
- MDOSSLF3H47A0B1G0Z
производитель
- А-ДАННЫЕ
Страна выпуска
- Тайвань
Год постройки
- 2004
Особенности
- 184штырь
- Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
объем данных
- 512мегабайт
Тактовая частота
- 600Mhz (PC4800)
напряжение
- 2.8±0.1V
Чип Состав
- Samsung TCCD 16 чипсы
PCB Высота
- 31.75мм, 6 слои
Рабочая температура корпуса Диапазон
- 0~ 95 ℃
Банк модулей
- 2 физический банк

Elpida 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

DeviceLog.com — Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000

наименование товара : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
номер части : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
производитель : ELPIDA
Страна выпуска : Тайвань
Год постройки / Неделя : 2010/38
Фактор формы : DDR3 SO-DIMM
Особенности : 204штырь, Non-ECC
Объем памяти : 2гигабайт
Максимальная скорость передачи данных : 1333Mbps
напряжение : 1.5V
организация : 256M × слова 64 биты, 2 ряды
Чип Состав : J1108BFBG-DJ-F × 16
Задержка (CL-Trcd-TRP) : 9-9-9
PCB Высота : 30мм
Рабочая температура корпуса Диапазон : 0~ 95 ℃