512мегабайт – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ru/ device, part, спекуляция Wed, 06 Nov 2019 11:31:36 +0000 ru hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ru M368L6423DTM является 32M бит х 64 Технологии Double Data Rate(DDR) Модуль памяти SDRAM с высокой плотностью на основе пятого genernation 256 МБ DDR SDRAM соответственно. M368L6423DTM состоит из шестнадцати КМОП 32M х 8 бит с 4banks Double Data Rate SDRAMs в 66pin TSOP-II(400тысяча) Пакеты смонтированы на 184pin стеклянной подложке-эпокси. Четыре развязывающих конденсатора 0,1 мкФ установлены на печатной плате параллельно для каждой DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Наименование товара Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
производитель Samsung Electronics
Страна выпуска Корея
Год постройки / неделю 2003/12
объем данных 512мегабайт
Тактовая частота 166Mhz (PC2700, DDR333)
Сроки памяти CL = 2.5
Особенности 184штырь, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Размер 133.35мм × 31,75 мм
биты данных 64немного
банки Внутренний модуль 4
Состав данных чипа K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 бит × 16 чипов)
пакет TSOP-II
напряжение VDD 2.5V ± 0,2 В
Рабочая температура корпуса Диапазон 0° С ~ 85 ° С
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, неподлинным RAM) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ru Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Наименование товара : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неоригинальные детали)
  • Номер части : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • производитель : Samsung Electronics (SEC)
  • Страна выпуска : Южная Корея
  • Год постройки / неделю : 2003/33
  • объем данных : 512мегабайт
  • Тактовая частота : 400Mhz (PC3200)
  • Особенности : 184штырь, Небуферизованная не-ECC DDR SDRAM DIMM
  • Состав данных чипа : [SEC K4H560838E-ККК] ✕ 8 чипсы
  • Банки данных : 4 банки
  • Интервал обновления : 7.8мкс (8Обновление K / 64ms)
  • Читать латанцию : 3 Часы (CL3)
  • Длина взрыва : 2, 4, 8
  • Тип взрыва : последовательный & перемежать
  • Максимальный цикл обновления пакета : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800) https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/ https://www.devicelog.com/ru/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/#respond Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=455-ru A-DATA Vitesta DDR600 Viesta памяти, в модулях памяти DDR SDRAM, во-первых, достигается 600Mhz тактовая частота микросхемы памяти Samsung TCCD. Емкость данных А-данных Viesta было 512 или 256 Мб. It was mostly used for ovcrclocking.

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Package frontside

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Package backside

 

  • наименование товара
    • A-DATA Vitesta DDR600 512 МБ
  • номер части
    • MDOSSLF3H47A0B1G0Z
  • производитель
    • А-ДАННЫЕ
  • Страна выпуска
    • Тайвань
  • Год постройки
    • 2004
  • Особенности
    • 184штырь
    • Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
  • объем данных
    • 512мегабайт
  • Тактовая частота
    • 600Mhz (PC4800)
  • напряжение
    • 2.8±0.1V
  • Чип Состав
    • Samsung TCCD 16 чипсы
  • PCB Высота
    • 31.75мм, 6 слои
  • Рабочая температура корпуса Диапазон
    • 0~ 95 ℃
  • Банк модулей
    • 2 физический банк

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Module frontside

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Module backside

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Module bottomside

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/feed/ 0