Название продукта Samsung DDR2 SDRAM 2 ГБ 2R × 8 PC2-6400 Номер детали Samsung M378T5663QZ3-CF7 Производитель электроники Страна производства Китай Год постройки / Недели 2009/04, 2010/07 Емкость Тип модуля памяти DIMM 2GB данных Тактовая частота 800Mhz (PC2-6400) Сроки памяти CL = 6, Trcd = 6, TRP = 6 Особенности 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM Биты данных 64 Внутренний модуль Банки 8 Звания 2 Данные […]

Название продукта Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-12800 8GB (2rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Производитель Samsung Electronics Страна производства филиппинской Сложение год / неделю 2014/08 Объем данных 8GB Часы скорость 1600MHz (PC3-12800) Сроки памяти CL = 11, Trcd = 11, TRP = 11 Особенности 240pin, Технология Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM производственного процесса 20, 30, 40нм Биты данных банков Внутренний модуль 64 8 Звания […]

Наименование товара : EKmemory DDR3 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Производитель : EKmemory Страна производства : Емкость Южной Кореи данных : 2Скорость GB Часы : 1333Mhz (PC3-10600) Особенности : 240штырь, Состав чипа Unbuffer без ECC DDR3 SDRAM DIMM данных : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 напряжение VDD микросхемы : 1.5V Главная : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = драмы&нет = 91

Название продукта Samsung 4 Гб DDR3 SDRAM памяти PC3-10600 (2rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Производитель Samsung Electronics (SEC) Страна производства Южная Корея Год постройки / неделю 2011/31 Объем данных 4 Гб Часы скорость 1333Mhz (PC3-10600) Сроки памяти CL = 9, Trcd = 9, TRP = 9 Особенности 240pin, x64 Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM биты данных Глубина / Биты организации 512M / Внутренний модуль x8 […]

Название продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB памяти (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Производитель Samsung Electronics Страна производства Китай Год постройки / неделю 2010/38 Объем данных 2GB Часы скорость 1333Mhz (PC3-10600) Особенности 240pin, Технологический процесс Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM производства 40нм Биты данных банков Внутренний модуль 64 8 Состав данных чипа [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипсы […]