Numele produsului Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB Memorie (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Producător Samsung Electronics Țara producției China Anul / săptămâna 2010/38 Capacitate date 2 GB Viteza ceasului 1333Mhz (PC3-10600) Caracteristici 240pin, Unbuffer DIMM non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tehnologia procesului de producție 40nm Biți de date x64 Bănci de module interne 8 compoziție cip de date [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chipsuri […]

numele produsului : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Număr parte : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Producător : ELPIDA Țara de producție : Anul / săptămâna Taiwan a construit : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Caracteristici : 204bolț, Capacitate de memorie non-ECC : 2Rata maximă de date GB : 1333Tensiune Mbps : 1.5V Organizare : 256cuvinte M × 64 biți, 2 se clasează pe Compoziția Chipului : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM dispune de spațiu de memorie temporară pentru I / O de date mai rapide. Este eficient atunci când sistemul nu poate primi suport de memorie cache. Dar dacă sistemul are memorie cache, efectul DRAM EDO este mic. Producător : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construiți Anul / Săptămână : 1997/32 Tara de fabricatie : Coreea (Coreea de Sud) Part Number […]

Acest SIMM placat cu culoare aurie. Culoarea plăcii și forma plăcii acestui SIMM este diferită de SIMM cu GM71C4400A. GM71C4400B este de 1M × 4 biți. Iar GM71C1000B este de 1M × 4 biți. Capacitatea de memorie și funcția acestui SIMM nu sunt diferite de SIMM cu GM71C4400A și GM71C1000. de fabricație […]

Goldstar este marca comercială a Goldstar Electron Co., Ltd. Și-a schimbat numele în LG Semiconductor (LG Semicon) la 1995, și a fost fuzionată cu industria electronică Hyundai (Hynix de acum) la 1999. Companie de producție : Goldstar Electron An fabricat: 1993 Tara de fabricatie : Caracteristicile modulului Coreea de Sud : 30bolț, DRAM, SIMM, Paritate RAM […]